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SI9956DY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 1:26:36 查看 閱讀�10

SI9956DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和高效率,適用于高頻開�(guān)�(yīng)�。其封裝形式� PowerPAK SO-8,適合表面貼裝工��
  這款 MOSFET 廣泛用于 DC/DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、同步整流、電機驅(qū)動以及便攜式電子�(shè)備中的功率管理電��

參數(shù)

型號:SI9956DY-T1-GE3
  類型:N 溝道 MOSFET
  Vds(漏源電壓)�60V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻,典型值)�2.5mΩ
  Id(連續(xù)漏電流)�47A
  Vgs(th)(柵極開啟電壓)�1.3V � 2.5V
  Qg(柵極電荷)�15nC
  fsw(最大開�(guān)頻率):2MHz
  封裝:PowerPAK SO-8
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

SI9956DY-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率�
  2. 高效率設(shè)計使其非常適合高頻開�(guān)�(yīng)�,如同步整流� DC/DC �(zhuǎn)換器�
  3. TrenchFET 第三代技�(shù)提高了功率密度并降低了總功��
  4. 小巧� PowerPAK SO-8 封裝節(jié)省了 PCB 空間,并提供了良好的熱性能�
  5. 支持寬范圍的工作溫度,適�(yīng)多種工業(yè)及消費類�(huán)境�

�(yīng)�

� MOSFET 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 筆記本電腦和臺式機中� DC/DC �(zhuǎn)換器�
  2. 各種類型的負(fù)載開�(guān)�
  3. 同步整流電路�
  4. 電機�(qū)動控��
  5. 消費類電子產(chǎn)品中的電池管理模塊�
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電源管理單��

替代型號

SIH995DH, SI4482DY

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