SI9933DY 時(shí)間：2025/4/28 15:07:43 閱讀：24

SI9933DY 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用了先進(jìn)的 TrenchFET? Gen IV 技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 和高開(kāi)關(guān)速度，適用于要求高效率和高性能的電源管理應(yīng)用。其封裝形式為 SO-8，能夠滿足緊湊設(shè)計(jì)的需求。
　　這款功率 MOSFET 廣泛用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及電池供電設(shè)備等應(yīng)用中。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　連續(xù)漏極電流：15A
　　導(dǎo)通電阻 (Rds(on))：2.4mΩ @ Vgs=10V
　　柵極電荷：6nC
　　總電容 (Ciss)：1780pF
　　功耗：45W
　　工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C

特性

SI9933DY 提供了卓越的性能表現(xiàn)，其主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率。
　　2. 高開(kāi)關(guān)速度和低柵極電荷，使器件在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
　　3. 寬廣的工作溫度范圍 (-55°C 至 +175°C)，確保在極端環(huán)境下依然保持穩(wěn)定性能。
　　4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適合現(xiàn)代電子產(chǎn)品需求。
　　5. SO-8 封裝提供良好的散熱性能和空間利用率。

應(yīng)用

該芯片的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，具體包括：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流器。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開(kāi)關(guān)或同步整流管。
　　3. 各類(lèi)負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路。
　　4. 便攜式電子設(shè)備中的電池管理。
　　5. 工業(yè)控制中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器模塊。
　　6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換與管理組件。