SI9933DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道邏輯電平增強� MOSFET。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度,非常適合用于高頻開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電機�(qū)動等�(yīng)�。其封裝形式� TO-252 (DPAK),能夠有效提高散熱性能并簡� PCB 布局�(shè)��
該型號的后綴 -T1-GE3 表示 Vishay 的第三代�(chǎn)品優(yōu)化工藝,進一步提升了器件的效率和可靠��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�8.7A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極閾值電壓:1.2V
工作溫度范圍�-55°C � 150°C
總功耗:1.6W
封裝類型:TO-252 (DPAK)
存儲溫度范圍�-65°C � 175°C
SI9933DY-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可以降低傳�(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)用場合�
3. 支持低至 1.2V 的柵極驅(qū)動電�,適合電池供電設(shè)��
4. 提供強大的雪崩能力和 ESD 保護功能,增強了器件的耐用��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),并且采用無鉛封�,環(huán)保且安全�
6. 廣泛的工作溫度范圍使其適用于各種惡劣�(huán)境下的電子設(shè)��
7. 第三代工藝改進顯著降低了熱阻,提高了功率密度�
這款 MOSFET 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 便攜式電子產(chǎn)品中的負(fù)載開�(guān)和電池管理電路�
3. 小型電機�(qū)動和 LED �(qū)動器的開�(guān)元件�
4. 通信�(shè)備中的信號調(diào)節(jié)和功率分配�
5. 工業(yè)控制系統(tǒng)的繼電器替代和功率轉(zhuǎn)換模��
6. 汽車電子中需要高效能和高可靠性的場景,例如電動座椅控制或雨刷系統(tǒng)�
SI9932DY, SI4447DY, FDP5570N