SI9926DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TO-252 封裝形式,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)�。其出色的導(dǎo)通電阻性能和較低的柵極電荷使得它在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��
該型�(hào)屬于 Si9926 系列,適用于需要高效率和低功耗的�(shè)�(jì)方案�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�47A
�(dǎo)通電阻(典型值)�5.5mΩ
柵極電荷�17nC
總電容:1480pF
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:TO-252
SI9926DY-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可有效減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 較低的柵極電荷(Qg)支持高頻開(kāi)�(guān)操作,適合開(kāi)�(guān)電源� DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)��
3. 高電流處理能力(高達(dá) 47A 連續(xù)漏極電流),滿足大功率需��
4. 寬工作溫度范圍(-55� � +175℃),確保在惡劣�(huán)境下的可靠��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保設(shè)�(jì)�
6. 小型化封裝(TO-252),節(jié)� PCB 空間�
� MOSFET 常用于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高端或低端開(kāi)�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
4. 各類�(fù)載切換應(yīng)�,例如電池管理系�(tǒng)(BMS)和配電單元(PDU��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊�
IRFZ44N, SI7476DP, FDP5500