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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI9926DY-T1-GE3

SI9926DY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 18:55:52 查看 閱讀�23

SI9926DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TO-252 封裝形式,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)�。其出色的導(dǎo)通電阻性能和較低的柵極電荷使得它在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��
  該型�(hào)屬于 Si9926 系列,適用于需要高效率和低功耗的�(shè)�(jì)方案�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�47A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�5.5mΩ
  柵極電荷�17nC
  總電容:1480pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝形式:TO-252

特�

SI9926DY-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可有效減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 較低的柵極電荷(Qg)支持高頻開(kāi)�(guān)操作,適合開(kāi)�(guān)電源� DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)��
  3. 高電流處理能力(高達(dá) 47A 連續(xù)漏極電流),滿足大功率需��
  4. 寬工作溫度范圍(-55� � +175℃),確保在惡劣�(huán)境下的可靠��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保設(shè)�(jì)�
  6. 小型化封裝(TO-252),節(jié)� PCB 空間�

�(yīng)�

� MOSFET 常用于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高端或低端開(kāi)�(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
  4. 各類�(fù)載切換應(yīng)�,例如電池管理系�(tǒng)(BMS)和配電單元(PDU��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊�

替代型號(hào)

IRFZ44N, SI7476DP, FDP5500

si9926dy-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)