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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI9435BDY-T1-GE3

SI9435BDY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/9 18:14:24 查看 閱讀�34

SI9435BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 芯片,專為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用小型表面貼裝封裝 (DFN8),具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,非常適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、同步整流以及便攜式電子�(shè)備中的功率管理�
  其先�(jìn)的制造工藝確保了高效率和可靠�,同�(shí)支持高頻率操�,從而減小外部元件尺寸并�(yōu)化系�(tǒng)性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�7.1A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�2.6mΩ
  柵極電荷�10nC
  �(kāi)�(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝類型:DFN8�3x3mm�

特�

SI9435BDY-T1-GE3 提供了卓越的電氣性能和可靠�。它采用� Vishay 的先�(jìn)工藝技�(shù),使得該器件具備以下特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠減少傳�(dǎo)損�,提高整體效��
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)�,降低開(kāi)�(guān)損��
  3. 小巧� DFN8 封裝,節(jié)� PCB 空間,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)小型化的要求�
  4. 廣泛的工作溫度范�,保證在極端�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到各種電路設(shè)�(jì)中�
  此外,其高電流承載能力和�(wěn)健的電氣特性使其成為高效功率轉(zhuǎn)換的理想選擇�

�(yīng)�

SI9435BDY-T1-GE3 主要�(yīng)用于需要高性能功率�(kāi)�(guān)的場(chǎng)�,具體包括:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
  2. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)控制�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
  4. USB-PD 和快充解決方案中的功率路徑管��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)隔離與功率傳��
  6. 各類消費(fèi)類電子產(chǎn)�,如智能手機(jī)、平板電腦及筆記本電腦的適配器和�(nèi)部電源模塊�

替代型號(hào)

SI9436DY, IRF7843, AO3400A

si9435bdy-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si9435bdy-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.1A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C42 毫歐 @ 5.7A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs24nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)