SI9435BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 芯片,專為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用小型表面貼裝封裝 (DFN8),具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,非常適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、同步整流以及便攜式電子�(shè)備中的功率管理�
其先�(jìn)的制造工藝確保了高效率和可靠�,同�(shí)支持高頻率操�,從而減小外部元件尺寸并�(yōu)化系�(tǒng)性能�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�7.1A
�(dǎo)通電阻(典型值)�2.6mΩ
柵極電荷�10nC
�(kāi)�(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝類型:DFN8�3x3mm�
SI9435BDY-T1-GE3 提供了卓越的電氣性能和可靠�。它采用� Vishay 的先�(jìn)工藝技�(shù),使得該器件具備以下特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠減少傳�(dǎo)損�,提高整體效��
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)�,降低開(kāi)�(guān)損��
3. 小巧� DFN8 封裝,節(jié)� PCB 空間,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)小型化的要求�
4. 廣泛的工作溫度范�,保證在極端�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到各種電路設(shè)�(jì)中�
此外,其高電流承載能力和�(wěn)健的電氣特性使其成為高效功率轉(zhuǎn)換的理想選擇�
SI9435BDY-T1-GE3 主要�(yīng)用于需要高性能功率�(kāi)�(guān)的場(chǎng)�,具體包括:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
2. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)控制�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
4. USB-PD 和快充解決方案中的功率路徑管��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)隔離與功率傳��
6. 各類消費(fèi)類電子產(chǎn)�,如智能手機(jī)、平板電腦及筆記本電腦的適配器和�(nèi)部電源模塊�
SI9436DY, IRF7843, AO3400A