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SI9433BDY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/6/5 10:35:29 查看 閱讀�10

SI9433BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用小型化的 TO-263-3L 封裝,適用于多種功率�(zhuǎn)換和開關(guān)�(yīng)�。其�(shè)計優(yōu)化了低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠滿足高效率、高性能的需��
  SI9433BDY-T1-GE3 的典型應(yīng)用場景包� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)控制以及電池保護(hù)�。由于其出色的電氣性能和可靠�,這款 MOSFET 廣泛用于消費電子、工�(yè)�(shè)備及通信�(lǐng)��

參數(shù)

型號:SI9433BDY-T1-GE3
  封裝:TO-263-3L (DPAK)
  工作電壓(Vds)�30V
  連續(xù)漏極電流(Id)�37A
  柵源極電�(Vgs):�20V
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ @ Vgs=10V
  柵極電荷(Qg)�18nC
  總功�(Ptot)�25W
  工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +150°C

特�

SI9433BDY-T1-GE3 具備以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),在 10V 柵極�(qū)動電壓下僅為 4.5mΩ,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)速度,柵極電� (Qg) 僅為 18nC,減少了開關(guān)損��
  3. 高電流處理能力,支持高達(dá) 37A 的連續(xù)漏極電流�
  4. 小型化封�,節(jié)� PCB 空間且便于散熱管��
  5. 工作電壓范圍�,最大耐壓� 30V,適用于中低壓應(yīng)用場��
  6. 出色的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在 -55°C � +150°C 的寬溫范圍內(nèi)正常工作�
  7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)��

�(yīng)�

SI9433BDY-T1-GE3 可廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流電��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心開�(guān)元件�
  3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)或保�(hù)開關(guān)�
  4. 各類電機(jī)�(qū)動和控制系統(tǒng)�
  5. 消費電子�(chǎn)品中的充電器和適配器�
  6. 通信�(shè)備中的電源管理和信號切換�
  7. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��

替代型號

SI9432DY, IRFZ44N, FDP55N06

si9433bdy-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

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si9433bdy-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫歐 @ 6.2A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI9433BDY-T1-GE3TR