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SI9433ADY-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/27 19:08:13 查看 閱讀:9

SI9433ADY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技術(shù)制造,具有極低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)秀的開關(guān)性能,適用于高效率、高密度的開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用領(lǐng)域。
  該器件封裝為 thermally enhanced PowerPAK? 8x8 封裝,具有出色的散熱性能,能夠有效降低熱阻并提高功率密度。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:25A
  導(dǎo)通電阻(典型值):1.5mΩ
  柵極電荷:45nC
  輸入電容:2700pF
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ to +175℃
  封裝形式:PowerPAK? 8x8

特性

SI9433ADY-T1-E3 使用了 Vishay 的 TrenchFET 第三代技術(shù),具備以下特點(diǎn):
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),在 10V 柵極驅(qū)動下僅為 1.5mΩ,可顯著減少導(dǎo)通損耗。
  2. 較低的柵極電荷 (Qg) 和輸出電荷 (Qoss),有助于實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)并降低開關(guān)損耗。
  3. 高額定電流能力 (25A),適合多種高功率應(yīng)用場景。
  4. 良好的雪崩能力和耐用性,可在惡劣條件下穩(wěn)定運(yùn)行。
  5. PowerPAK? 8x8 封裝提供了卓越的散熱性能,支持更高的功率密度和更小的設(shè)計(jì)體積。
  6. 寬溫度范圍 (-55℃ 至 +175℃),適應(yīng)極端環(huán)境下的使用需求。

應(yīng)用

SI9433ADY-T1-E3 適用于以下應(yīng)用:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流器。
  2. DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的功率級開關(guān)。
  3. 電機(jī)驅(qū)動電路中的功率開關(guān)。
  4. 電池保護(hù)和負(fù)載切換。
  5. 通信設(shè)備和工業(yè)自動化中的功率管理模塊和高電流能力使其成為高性能功率轉(zhuǎn)換和控制的理想選擇。

替代型號

SI9432DY, SI9434DY

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