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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI9424DY-T1-GE3

SI9424DY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 19:45:22 查看 閱讀�32

SI9424DY-T1-GE3 是一款來(lái)� Vishay � N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET? 第三代技�(shù)制�,具有非常低的導(dǎo)通電� (RDS(on)) 和優(yōu)化的�(kāi)�(guān)性能,非常適合用于高� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)控制以及其他功率管理�(yīng)用�
  該芯片封裝形式為小尺寸的 3.3mm x 3.3mm DPAK (TO-252AD),有助于節(jié)� PCB 空間,同�(shí)提供出色的散熱性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�28A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.5mΩ
  柵極電荷�7nC
  �(kāi)�(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝類型:DPAK (TO-252AD)
  邏輯電平兼容:是

特�

SI9424DY-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (RDS(on)),可顯著降低功率損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能�,支持高�(dá) 28A 的連續(xù)漏極電流�
  3. 柵極電荷較低,有助于�(shí)�(xiàn)高效的開(kāi)�(guān)操作和更快的切換速度�
  4. 具有出色的熱�(wěn)定�,在高結(jié)溫條件下仍能保持�(wěn)定的性能�
  5. 支持寬泛的工作溫度范� (-55°C � +175°C),適�(yīng)各種惡劣�(huán)境�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代設(shè)�(jì)需��

�(yīng)�

該功� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流電路�
  2. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開(kāi)�(guān)或續(xù)流二極管替代方案�
  3. 便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器和電池管理系統(tǒng)�
  5. 可再生能源應(yīng)用如太陽(yáng)能微逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)中的功率�(jí)控制�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換和控制模塊�

替代型號(hào)

SI9426DY, SI9422DY, IRF7843TRPBF

si9424dy-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)