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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI9424BDY-T1-GE3

SI9424BDY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 12:24:13 查看 閱讀�30

SI9424BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用� TrenchFET Gen III 技�(shù),旨在提供卓越的�(dǎo)通電阻和開關(guān)性能。其小型化的封裝�(shè)�(jì)(PowerPAK 8x8L)使其非常適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)�,同�(shí)支持高電流處理能��
  � MOSFET 的工作電壓為 40V,適用于廣泛的電源管理應(yīng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及通信�(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�26A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ(在 Vgs=10V �(shí)�
  柵極電荷�28nC
  總電容:1750pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝類型:PowerPAK 8x8L

特�

SI9424BDY-T1-GE3 提供了非常低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,從而能夠顯著減少傳�(dǎo)損耗并提高效率。此�,TrenchFET Gen III 技�(shù)確保了更少的柵極電荷和更快的開關(guān)速度,這對(duì)于高頻開�(guān)�(yīng)用尤為重��
  該器件還具備出色的熱�(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下可靠�(yùn)行。由于其緊湊� PowerPAK 8x8L 封裝�(shè)�(jì),因此非常適合需要高功率密度的電��
  此外,它具有較低的輸入電容和輸出電容,有助于�(jìn)一步優(yōu)化開�(guān)性能。整體上,這款 MOSFET 在高效能和小尺寸之間�(shí)�(xiàn)了良好的平衡�

�(yīng)�

SI9424BDY-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率級(jí)
  3. 筆記本電腦及平板電腦的負(fù)載開�(guān)
  4. 通信�(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊
  5. 工業(yè)自動(dòng)化中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制
  6. 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)和切換功�
  這些�(yīng)用得益于其低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)特性和高電流承載能��

替代型號(hào)

SIH942N-D-T1-E3, SI9422DY-T1-GE3

si9424bdy-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si9424bdy-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫歐 @ 7.1A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)850mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs40nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.25W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)