SI9422DY-T1-E3 時(shí)間：2025/5/22 0:51:30 閱讀：7

SI9422DY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用了 TrenchFET 第三代技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)，適用于多種電源管理應(yīng)用。其小型化的封裝形式（TSOP6）使其非常適合空間受限的設(shè)計(jì)場(chǎng)景。
　　該 MOSFET 的設(shè)計(jì)旨在提供高效的開關(guān)性能，同時(shí)保持較低的功耗。由于其出色的電氣特性和可靠性，SI9422DY-T1-E3 廣泛應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及電池供電設(shè)備等場(chǎng)合。

參數(shù)

型號(hào)：SI9422DY-T1-E3
　　類型：N溝道 MOSFET
　　Vds（漏源極擊穿電壓）：30V
　　Rds(on)（導(dǎo)通電阻）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V時(shí)）
　　Ids（連續(xù)漏極電流）：28A
　　Pd（最大功耗）：1.7W
　　封裝形式：TSOP6
　　Vgs（柵源電壓）：±20V
　　f（工作頻率）：1MHz
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃

特性

SI9422DY-T1-E3 的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)，在 Vgs=10V 時(shí)僅為 4.5mΩ，從而降低了傳導(dǎo)損耗并提高了系統(tǒng)效率。
　　2. 快速開關(guān)能力，支持高達(dá) 1MHz 的工作頻率，適用于高頻應(yīng)用。
　　3. 小尺寸 TSOP6 封裝，有助于減少 PCB 占位面積。
　　4. 高電流承載能力，連續(xù)漏極電流 Ids 高達(dá) 28A。
　　5. 寬工作溫度范圍，從 -55℃ 到 +150℃，確保在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
　　6. 提供 ESD 保護(hù)功能，增強(qiáng)了器件的抗靜電能力。
　　7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。
　　這些特性使得 SI9422DY-T1-E3 成為需要高效、緊湊解決方案的應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用

SI9422DY-T1-E3 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流器。
　　2. 便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和控制電路。
　　4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)開關(guān)。
　　5. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)或輔助開關(guān)。
　　6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號(hào)隔離與切換。
　　由于其高效率和緊湊的封裝形式，SI9422DY-T1-E3 在各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品、工業(yè)設(shè)備以及通信基礎(chǔ)設(shè)施中均表現(xiàn)出色。