SI7945DP-T1-E3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用� TrenchFET? 第三代技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和出色的開�(guān)性能,非常適合用于高效能、高頻開�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)�。其小型化的封裝使其能夠適應(yīng)緊湊型設(shè)�(jì)需�,同�(shí)保持高效的電能轉(zhuǎn)換能��
該芯片廣泛應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn) (POL) �(zhuǎn)�、電�(jī)控制、電信及�(wǎng)�(luò)電源等應(yīng)用領(lǐng)��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�28A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.2mΩ
柵極電荷�26nC
輸入電容�1790pF
開關(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝類型:T0-263-7
SI7945DP-T1-E3 的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電�,僅� 1.2mΩ(在 Vgs=10V �(shí)�。這種低導(dǎo)通電阻使得該 MOSFET 在高電流�(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠顯著降低傳�(dǎo)損��
此外,該器件的柵極電荷較�,僅� 26nC,從而提高了開關(guān)效率并減少了開關(guān)損��
其采用的 TrenchFET 第三代技�(shù)�(jìn)一步優(yōu)化了芯片的熱性能和電氣性能,確保了其在高溫�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)�。另外,支持高達(dá) 28A 的連續(xù)漏極電流也使其成為高功率�(yīng)用的理想選擇�
最�,它具備寬泛的工作溫度范圍(-55� � +175℃),適用于極端條件下的工業(yè)與汽車級(jí)�(yīng)��
該功� MOSFET 廣泛用于多種電力電子�(shè)�,包括但不限于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元件�
2. 電池供電系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)�
3. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器模塊�
4. 各種電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,如無刷直流電機(jī)(BLDC)控制�
5. 通信基站及服�(wù)器的電源管理�
6. 電動(dòng)工具和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的電源開關(guān)�
7. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換與保護(hù)電路�
SI7466DP, SI7864DP, IRF7728