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SI7892ADP-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/24 14:07:20 查看 閱讀：15

SI7892ADP-T1-E3是來自Skyworks公司的一款高性能N溝道增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和高可靠性等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各種電源管理場(chǎng)景，如負(fù)載開關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電池保護(hù)電路等。其小型化的封裝形式使其非常適合空間受限的設(shè)計(jì)環(huán)境。
　　該MOSFET的額定電壓為30V，適用于中低壓應(yīng)用場(chǎng)合，并且具備出色的熱性能和電氣性能。通過優(yōu)化設(shè)計(jì)，SI7892ADP-T1-E3能夠在高頻工作條件下提供高效的功率傳輸和較低的能量損耗。

參數(shù)

類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
　　最大漏源極電壓：30V
　　最大柵源極電壓：±8V
　　連續(xù)漏極電流：4.2A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：2.5mΩ
　　柵極電荷（典型值）：6.8nC
　　總電容（輸入/輸出/反向傳輸）：3.5pF
　　工作溫度范圍：-55℃至+150℃
　　封裝形式：DFN2020-8

特性

SI7892ADP-T1-E3的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
　　2. 快速開關(guān)速度，支持高頻操作，減少開關(guān)損耗。
　　3. 小尺寸DFN2020-8封裝，節(jié)省PCB空間。
　　4. 高度可靠的性能表現(xiàn)，在極端溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定工作。
　　5. 具備出色的抗靜電能力（ESD防護(hù)），確保在生產(chǎn)和使用過程中的安全性。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛設(shè)計(jì)。
　　此外，該器件經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量測(cè)試，能夠滿足汽車級(jí)和工業(yè)級(jí)應(yīng)用的需求。

應(yīng)用

SI7892ADP-T1-E3適合用于以下應(yīng)用場(chǎng)景：
　　1. 消費(fèi)電子設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)和電源管理模塊。
　　2. 便攜式設(shè)備的電池保護(hù)和充電管理電路。
　　3. DC-DC轉(zhuǎn)換器和POL（Point of Load）調(diào)節(jié)器。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號(hào)切換和功率控制。
　　5. 汽車電子系統(tǒng)的電源管理和驅(qū)動(dòng)電路。
　　6. 高效能要求的通信基礎(chǔ)設(shè)施中的功率分配網(wǎng)絡(luò)。
　　由于其優(yōu)異的電氣特性和緊湊的封裝形式，這款MOSFET成為眾多現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)的理想選擇。

替代型號(hào)

SI7891ADP-T1-E3
　　SI7893ADP-T1-E3
　　SiS822ADP

si7892adp-t1-e3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si7892adp-t1-e3參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • 產(chǎn)品種類MOSFET
  • 晶體管極性N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓30 V
  • 閘/源擊穿電壓+/- 20 V
  • 漏極連續(xù)電流15 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）4.2 mOhms
  • 配置Single
  • 最大工作溫度+ 150 C
  • 安裝風(fēng)格SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體PowerPAK SO-8
  • 封裝Reel
  • 下降時(shí)間10 ns
  • 最小工作溫度- 55 C
  • 功率耗散1.9 W
  • 上升時(shí)間10 ns
  • 工廠包裝數(shù)量3000
  • 典型關(guān)閉延遲時(shí)間65 ns
  • 零件號(hào)別名SI7892ADP-E3