SI7880DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性,非常適合于高效能的電源管理和信號(hào)切換�(yīng)�。其封裝形式� TO-263 (DPAK),能夠提供出色的散熱性能�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�45A
�(dǎo)通電阻:1.8mΩ
柵極電荷�129nC
總電容:1480pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
SI7880DP-T1-GE3 利用 Vishay � TrenchFET 技�(shù),在不影響可靠性的情況下實(shí)�(xiàn)了更低的�(dǎo)通電阻和更小的封裝尺�。這使得它在高功率密度�(shè)�(jì)中表�(xiàn)出色。此�,其超低的導(dǎo)通電阻有助于減少功耗并提高系統(tǒng)效率�
� MOSFET 的快速開(kāi)�(guān)能力使其非常適合高頻�(yīng)�,并且能夠在高負(fù)載條件下保持較低的溫�。其�(jiān)固的�(shè)�(jì)和寬泛的工作溫度范圍也保證了它在各種惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定��
典型�(yīng)用場(chǎng)景包� DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載切換以及分布式電源系統(tǒng)等�
SI7880DP-T1-GE3 主要用于需要高效能功率�(zhuǎn)換和信號(hào)控制的場(chǎng)�。常�(jiàn)的應(yīng)用領(lǐng)域包括:
- �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS)
- DC-DC �(zhuǎn)換器
- 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
- 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切�
- 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的功率管理
由于其出色的熱性能和電氣特�,這款 MOSFET 在汽�(chē)�(jí)和工�(yè)�(jí)�(chǎn)品中都有廣泛的應(yīng)��
SI7874DP, IRF7874, FDMC8800