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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI7852DP-T1-GE3

SI7852DP-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 15:21:44 查看 閱讀�14

SI7852DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)效率的特�(diǎn),適用于各種功率�(zhuǎn)換和�(fù)載開�(guān)�(yīng)�。它具有出色的熱性能和電氣性能,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和小型化的需��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�12A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.9mΩ
  柵極電荷�49nC
  輸入電容�2250pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

SI7852DP-T1-GE3 使用了先�(jìn)� TrenchFET 工藝,大幅降低了�(dǎo)通電阻和柵極電荷,從而提高了整體的功率效率和系統(tǒng)性能�
  該器件具備快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)�,并且其封裝�(shè)�(jì)�(yōu)化了散熱路徑,確保在高電流條件下�(wěn)定運(yùn)��
  此外,它的低反向恢復(fù)電荷特性也使其成為硬開�(guān)�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)�(diào)節(jié)�、同步整流電路以及電池供電設(shè)備中�
  它還常用于電信和�(wǎng)�(luò)�(shè)備中的電源管理模塊,以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電�(jī)�(qū)�(dòng)和照明控制等�(chǎng)��

替代型號(hào)

SI7862DP-T1-E3, IRF7852PbF

si7852dp-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

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si7852dp-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)80V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16.5 毫歐 @ 10A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs41nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.9W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PowerPAK? SO-8
  • 包裝帶卷 (TR)