SI7806ADN-T1-E3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用� TrenchFET Gen IV 技�(shù),具有較低的�(dǎo)通電阻和出色的開(kāi)�(guān)性能,適合在高效�、高頻應(yīng)用中使用。其小型化的封裝形式使其非常適合空間受限的設(shè)�(jì)�(chǎng)景�
� MOSFET 的工作電壓范圍較�,最大漏源極電壓� 60V,能夠滿足多種電源管理和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)用的需�。同�(shí),它還具備快速開(kāi)�(guān)特性和低柵極電荷特�,有助于減少�(kāi)�(guān)損耗并提升整體系統(tǒng)效率�
最大漏源極電壓�60V
連續(xù)漏極電流�29A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極電荷�11nC
總柵極電荷:17nC
輸入電容�1050pF
最大工作結(jié)溫:175�
封裝類型:PowerPAK? 1212-8
1. 超低�(dǎo)通電阻:SI7806ADN-T1-E3 的導(dǎo)通電阻非常低,僅� 4.5mΩ(典型值),這使得它在高電流�(yīng)用中表現(xiàn)出色,并且能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力:由于其較低的柵極電荷和�(yōu)化的�(kāi)�(guān)性能,這款 MOSFET 非常適合高頻�(yīng)用環(huán)�,可有效減少�(kāi)�(guān)損��
3. 寬電壓范圍:支持最� 60V 的漏源極電壓,能夠適用于多種不同的電路設(shè)�(jì)需��
4. 小型化封裝:采用 PowerPAK? 1212-8 封裝形式,節(jié)省了 PCB 空間,同�(shí)保持了良好的散熱性能�
5. 高可靠性:器件的工作結(jié)溫高�(dá) 175�,確保了其在極端溫度條件下的�(wěn)定運(yùn)��
1. DC/DC �(zhuǎn)換器�
在各種降壓或升壓�(zhuǎn)換器�?fù)渲杏米鞴β书_(kāi)�(guān)元件,提供高效的電能�(zhuǎn)��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
用于控制�(wú)刷直流電�(jī)或其他類型的電機(jī),提供精確的速度和扭矩控制:
作為主開(kāi)�(guān)管,� AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器中實(shí)�(xiàn)高效功率傳遞�
4. 電池保護(hù)�
在電池管理系�(tǒng)�,可用于�(guò)流保�(hù)、短路保�(hù)等功��
5. 工業(yè)自動(dòng)化:
在工�(yè)控制系統(tǒng)�,用于負(fù)載切換和信號(hào)�(diào)節(jié)等任�(wù)�
SI7806DN, SI7480DP, IRF7806