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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI7617DN-T1-GE3

SI7617DN-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 9:31:21 查看 閱讀�21

SI7617DN-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 DPAK 封裝(TO-252�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適用于各種�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(yīng)用領(lǐng)��
  � MOSFET 的設(shè)�(jì)目標(biāo)是為中低壓應(yīng)用提供高效的�(kāi)�(guān)性能,并且其出色的熱特性和電氣特性使其成為許多工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�24A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):8.5mΩ(典型�,Vgs=10V�(shí)�
  柵極電荷�29nC(典型值)
  �(kāi)�(guān)速度:快�
  封裝類型:TO-252 (DPAK)
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

SI7617DN-T1-GE3 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能�,支持大功率�(yīng)��
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻開(kāi)�(guān)電路�
  4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在寬溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)行�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)��
  6. 小巧� DPAK 封裝,節(jié)� PCB 空間同時(shí)具備良好的散熱能力�

�(yīng)�

該器件廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流和主開(kāi)�(guān)�
  2. DC/DC �(zhuǎn)換器,用于負(fù)載點(diǎn)�(zhuǎn)換�
  3. 電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路�
  4. 各種�(fù)載切換和保護(hù)電路�
  5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電管��
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��

替代型號(hào)

SI7449DN, IRFZ44N, FDP5800

si7617dn-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si7617dn-t1-ge3資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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si7617dn-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C35A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12.3 毫歐 @ 13.9A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs59nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1800pF @ 15V
  • 功率 - 最�52W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? 1212-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PowerPAK? 1212-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI7617DN-T1-GE3TR