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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI7414DN-T1-E3

SI7414DN-T1-E3 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 20:01:01 查看 閱讀�30

SI7414DN 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用 TO-252 (DPAK) 封裝,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特�,適用于各種功率開關(guān)和負(fù)載驅(qū)動應(yīng)�。此型號中的 '-T1-E3' 表示特定的測試和篩選�(biāo)�(zhǔn)版本,確保其在嚴(yán)苛環(huán)境下的可靠��
  SI7414DN 主要用于電源管理、電�(jī)控制以及電信�(shè)備等�(yīng)用領(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�4.2A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.028Ω
  總功耗:1.6W
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  封裝類型:TO-252 (DPAK)

特�

SI7414DN 的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),這使得它在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗并提高效率。此�,該器件具備快速開�(guān)速度,減少了開關(guān)損�,從而優(yōu)化了整體性能�
  這款 MOSFET 還支持較高的漏源電壓�60V�,使其能夠在較寬的工作電壓范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)�。同�,其出色的熱性能和大電流處理能力,�(jìn)一步增�(qiáng)了其在多種工�(yè)及消�(fèi)類電子設(shè)備中的適用��
  另外,由于采用了 TO-252 封裝,該器件具有良好的散熱特性和易于焊接安裝的特�(diǎn),簡化了 PCB �(shè)計過��

�(yīng)�

SI7414DN 廣泛�(yīng)用于需要高效功率切換的場景�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS)
  2. 電池充電�
  3. 固態(tài)繼電�
  4. 電機(jī)�(qū)動與控制
  5. 工業(yè)自動化設(shè)�
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開�(guān)
  其優(yōu)異的電氣特性和可靠性使其成為這些�(yīng)用的理想選擇�

替代型號

SI7449DN, IRF7414

si7414dn-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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  • 封裝/批號
  • 詢價

si7414dn-t1-e3資料 更多>

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si7414dn-t1-e3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SI7414DN
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫歐 @ 8.7A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? 1212-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PowerPAK? 1212-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI7414DN-T1-E3TR