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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI7366DP-T1-GE3

SI7366DP-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 14:29:33 查看 閱讀�10

SI7366DP-T1-GE3 是由 Vishay 推出的一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen III 技�(shù),能夠提供極低的�(dǎo)通電阻和出色的開�(guān)性能,非常適合用于高效能的電源管�、電�(jī)控制以及其他功率�(zhuǎn)換應(yīng)��
  該器件采用了 TO-252 (DPAK) 封裝形式,具有較高的電流承載能力以及良好的熱性能表現(xiàn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�39A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
  柵極電荷�19nC
  輸入電容�2820pF
  開關(guān)速度:快�
  封裝形式:TO-252 (DPAK)
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

SI7366DP-T1-GE3 具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)特�,支持高頻應(yīng)�,同�(shí)減少開關(guān)損��
  3. 高雪崩能量能�,提升了器件在異常條件下的可靠��
  4. 符合 AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),適用于汽車�(jí)�(yīng)用�
  5. 提供�(yōu)異的熱性能,確保在高功率條件下�(wěn)定運(yùn)��
  6. 支持多種功率�(zhuǎn)換拓?fù)?,包括降�、升�、反激式轉(zhuǎn)換器等�
  7. 無鉛且符� RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保友好�

�(yīng)�

SI7366DP-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的功率開關(guān)�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器,如降壓或升壓拓?fù)渲械闹鏖_�(guān)��
  3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  4. 汽車電子系統(tǒng),例如車身控制模�、啟�(dòng)停止系統(tǒng)��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�
  6. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控制開�(guān)�
  7. 高效 LED �(qū)�(dòng)器中的功率開�(guān)組件�

替代型號(hào)

SI7449DP, IRFZ44N, FDP17N06

si7366dp-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si7366dp-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C13A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.5 毫歐 @ 20A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs25nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.7W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PowerPAK? SO-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI7366DP-T1-GE3TR