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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > SI7336ADP-T1-E3

SI7336ADP-T1-E3 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 10:31:28 查看 閱讀�25

SI7336ADP-T1-E3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用 TrenchFET Gen III 技�,旨在提供高效率和低導通電阻性能。這種功率 MOSFET 適用于高頻開關應�,能夠顯著降低傳導損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
  該器件封裝形式為 Hot FET? PowerPAK? SO-8 封裝,具有出色的散熱性能和電氣特��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�28A
  導通電阻:2.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V 時)
  柵極電荷�38nC(典型值)
  輸入電容�1290pF(典型值)
  總功耗:2.1W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

SI7336ADP-T1-E3 具有以下主要特性:
  1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于減少功率損耗并提升效率�
  2. 高電流承載能力,適合大功率應��
  3. 快速開關速度,支持高頻操��
  4. 熱增強型封裝設計,能夠有效管理熱��
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
  6. 在極端溫度條件下仍能保持�(wěn)定性能�
  這些特點使它成為電源轉換、電機驅動和負載切換等應用的理想選擇�

應用

這款 MOSFET 廣泛應用于各種電子設備中,包括但不限于:
  1. 開關模式電源 (SMPS) � DC-DC 轉換器中的功率開��
  2. 電池供電設備中的負載切換和保護電��
  3. 電機控制和驅動應用中的功率級組件�
  4. 工業(yè)自動化系�(tǒng)中的固態(tài)繼電��
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和配電模塊�
  其高性能和可靠性使其在眾多領域都備受青��

替代型號

SI7337DP, IRFZ44N, FDP5500

si7336adp-t1-e3推薦供應� 更多>

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si7336adp-t1-e3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SI7336ADP
  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C30A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3 毫歐 @ 25A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs50nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds5600pF @ 15V
  • 功率 - 最�5.4W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8
  • 供應商設備封�PowerPAK? SO-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI7336ADP-T1-E3TR