SI7336ADP-T1-E3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用 TrenchFET Gen III 技�,旨在提供高效率和低導通電阻性能。這種功率 MOSFET 適用于高頻開關應�,能夠顯著降低傳導損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
該器件封裝形式為 Hot FET? PowerPAK? SO-8 封裝,具有出色的散熱性能和電氣特��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�28A
導通電阻:2.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V 時)
柵極電荷�38nC(典型值)
輸入電容�1290pF(典型值)
總功耗:2.1W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
SI7336ADP-T1-E3 具有以下主要特性:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于減少功率損耗并提升效率�
2. 高電流承載能力,適合大功率應��
3. 快速開關速度,支持高頻操��
4. 熱增強型封裝設計,能夠有效管理熱��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
6. 在極端溫度條件下仍能保持�(wěn)定性能�
這些特點使它成為電源轉換、電機驅動和負載切換等應用的理想選擇�
這款 MOSFET 廣泛應用于各種電子設備中,包括但不限于:
1. 開關模式電源 (SMPS) � DC-DC 轉換器中的功率開��
2. 電池供電設備中的負載切換和保護電��
3. 電機控制和驅動應用中的功率級組件�
4. 工業(yè)自動化系�(tǒng)中的固態(tài)繼電��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和配電模塊�
其高性能和可靠性使其在眾多領域都備受青��
SI7337DP, IRFZ44N, FDP5500