SI7272DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen III 技術制�,具有低導通電阻和高開關效率的特點,適合用� DC-DC 轉換�、負載開�、同步整流以及電機控制等應用領域�
其封裝形式為 Thermally Enhanced PowerPAK SO-8(TSSOP�,能夠提供出色的散熱性能,并支持高頻開關操作�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�54A
導通電阻(典型值)�1.5mΩ
柵極電荷(典型值)�59nC
輸入電容(典型值)�1740pF
工作結溫范圍�-55� to 175�272DP-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導損�,提升整體系�(tǒng)效率�
2. 高額定電流能�,可滿足大功率應用需��
3. 快速開關性能,降低開關損耗�
4. 先進的 TrenchFET Gen III 技術確保了卓越的電氣性能和可靠��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保設��
6. 封裝具備�(yōu)秀的熱特性和電氣隔離能力,適用于緊湊型設計�
這款功率 MOSFET 廣泛應用于以下場景:
1. 開關模式電源(SMPS)中的主開關或同步整流元��
2. 降壓或升壓型 DC-DC 轉換器的核心組件�
3. 各類負載開關,用于動�(tài)調節(jié)電路中的電流流動�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護電��
5. 電動工具、家用電器及工業(yè)設備中的電機驅動與控制�
6. 汽車電子系統(tǒng)中需要高效功率轉換的部分�
SI7460DP, IRF7736, AO3400A