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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > SI7272DP-T1-GE3

SI7272DP-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/16 12:24:45 查看 閱讀�18

SI7272DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen III 技術制�,具有低導通電阻和高開關效率的特點,適合用� DC-DC 轉換�、負載開�、同步整流以及電機控制等應用領域�
  其封裝形式為 Thermally Enhanced PowerPAK SO-8(TSSOP�,能夠提供出色的散熱性能,并支持高頻開關操作�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�54A
  導通電阻(典型值)�1.5mΩ
  柵極電荷(典型值)�59nC
  輸入電容(典型值)�1740pF
  工作結溫范圍�-55� to 175�272DP-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導損�,提升整體系�(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能�,可滿足大功率應用需��
  3. 快速開關性能,降低開關損耗�
  4. 先進的 TrenchFET Gen III 技術確保了卓越的電氣性能和可靠��
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保設��
  6. 封裝具備�(yōu)秀的熱特性和電氣隔離能力,適用于緊湊型設計�

應用

這款功率 MOSFET 廣泛應用于以下場景:
  1. 開關模式電源(SMPS)中的主開關或同步整流元��
  2. 降壓或升壓型 DC-DC 轉換器的核心組件�
  3. 各類負載開關,用于動�(tài)調節(jié)電路中的電流流動�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護電��
  5. 電動工具、家用電器及工業(yè)設備中的電機驅動與控制�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中需要高效功率轉換的部分�

替代型號

SI7460DP, IRF7736, AO3400A

si7272dp-t1-ge3推薦供應� 更多>

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si7272dp-t1-ge3參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET �2 � N 溝道(雙�
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C25A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.3 毫歐 @ 15A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs26nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1100pF @ 15V
  • 功率 - 最�22W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8 �
  • 供應商設備封�PowerPAK? SO-8 Dual
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI7272DP-T1-GE3TR