SI7230DN-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適用于多種功率�(zhuǎn)換和�(fù)載切換應(yīng)�。其封裝形式� tiny DPAK (TO-263),具備出色的熱性能,能夠支持較高的電流密度�
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�45A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�3.6mΩ
柵極電荷(Qg)�8.5nC
總功�(Ptot)�179W
工作�(jié)溫范�(Tj)�-55� � +175�
封裝形式:DPAK (TO-263)
SI7230DN-T1-GE3 采用了先�(jìn)� TrenchFET 第三代工藝,具有以下特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),可顯著降低傳導(dǎo)損��
2. 較小的柵極電� Qg,有助于提高�(kāi)�(guān)效率�
3. 高額定電流能�,適合大功率�(yīng)用�
4. �(yōu)化的熱性能�(shè)�(jì),便于散熱管��
5. 寬泛的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下的可靠��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
7. 封裝緊湊,節(jié)� PCB 空間�
這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和�(kāi)�(guān)操作的場(chǎng)�,具體包括:
1. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
2. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) 的高端和低端�(kāi)�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
4. 工業(yè)�(shè)備中的負(fù)載切��
5. 通信系統(tǒng)中的電源管理模塊�
6. 汽車(chē)電子�(lǐng)域中的電池管理和配電單元�
7. 太陽(yáng)能逆變器中的功率開(kāi)�(guān)組件�
SI7446DP, IRFZ44N, FDP060N06L