SI7216DN-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用� TrenchFET Gen III 技�(shù),具有較低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)秀的開�(guān)性能,適用于各種高效能電源管理應(yīng)�。它主要被設(shè)�(jì)用于要求高效率和低功耗的�(yīng)用場合,例如 DC/DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電機(jī)�(qū)動等場景�
這款 MOSFET 的封裝形式為小型化的 PowerPAK 1212-8L 封裝,這種封裝不僅有助于降低寄生電感,還提升了熱性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�15A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.6mΩ
柵極-源極開啟電壓�1.5V
總功耗:1.8W
工作�(jié)溫范圍:-55� to 150�
SI7216DN-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),在 10V 柵極�(qū)動電壓下僅為 1.6mΩ,從而減少了傳導(dǎo)損��
2. 快速開�(guān)能力,具備低輸入電容和輸出電荷量,優(yōu)化了高頻操作中的效率�
3. 采用 PowerPAK 1212-8L 封裝,提供出色的散熱性能和更小的占板面積�
4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),并且無鹵素,滿足環(huán)保需��
5. 可靠的雪崩擊穿能力和短路耐受能力,提高了系統(tǒng)�(wěn)定��
SI7216DN-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. DC/DC �(zhuǎn)換器
3. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)
4. 通信�(shè)備中的功率管理模�
5. 工業(yè)自動化中的電�(jī)�(qū)動控�
6. 各種便攜式電子設(shè)備中的高效節(jié)能電路設(shè)�(jì)
SI7194DN, SI7184DP, IRF7832