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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI7216DN-T1-GE3

SI7216DN-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 20:42:08 查看 閱讀�11

SI7216DN-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用� TrenchFET Gen III 技�(shù),具有較低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)秀的開�(guān)性能,適用于各種高效能電源管理應(yīng)�。它主要被設(shè)�(jì)用于要求高效率和低功耗的�(yīng)用場合,例如 DC/DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電機(jī)�(qū)動等場景�
  這款 MOSFET 的封裝形式為小型化的 PowerPAK 1212-8L 封裝,這種封裝不僅有助于降低寄生電感,還提升了熱性能表現(xiàn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�15A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.6mΩ
  柵極-源極開啟電壓�1.5V
  總功耗:1.8W
  工作�(jié)溫范圍:-55� to 150�

特�

SI7216DN-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),在 10V 柵極�(qū)動電壓下僅為 1.6mΩ,從而減少了傳導(dǎo)損��
  2. 快速開�(guān)能力,具備低輸入電容和輸出電荷量,優(yōu)化了高頻操作中的效率�
  3. 采用 PowerPAK 1212-8L 封裝,提供出色的散熱性能和更小的占板面積�
  4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),并且無鹵素,滿足環(huán)保需��
  5. 可靠的雪崩擊穿能力和短路耐受能力,提高了系統(tǒng)�(wěn)定��

�(yīng)�

SI7216DN-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
  2. DC/DC �(zhuǎn)換器
  3. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)
  4. 通信�(shè)備中的功率管理模�
  5. 工業(yè)自動化中的電�(jī)�(qū)動控�
  6. 各種便攜式電子設(shè)備中的高效節(jié)能電路設(shè)�(jì)

替代型號

SI7194DN, SI7184DP, IRF7832

si7216dn-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

si7216dn-t1-ge3資料 更多>

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si7216dn-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C32 毫歐 @ 5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs19nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds670pF @ 20V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? 1212-8 �
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PowerPAK? 1212-8 Dual
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI7216DN-T1-GE3TR