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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > SI7214DN-T1-GE3

SI7214DN-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 16:26:46 查看 閱讀�27

SI7214DN-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用� TrenchFET 第三代技術,具有低導通電阻和高開關速度的特�,適用于要求高效能和低功耗的應用場景。其封裝形式� SO-8(PowerPAK SO-8�,能夠提供卓越的散熱性能和緊湊的設計方案�
  該器件廣泛應用于消費電子、工�(yè)控制以及通信設備等領域,例如 DC-DC 轉換�、負載開關、電機驅動等�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±12V
  連續(xù)漏極電流�24A
  導通電阻(典型值)�2.5mΩ
  總柵極電荷:6.7nC
  輸入電容�930pF
  工作溫度范圍�-55� to +175�

特�

SI7214DN-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電�,有助于減少傳導損耗并提高效率�
  2. 高效的開關性能,得益于較低的柵極電荷和快速的開關速度�
  3. 工作溫度范圍寬廣,適合多種環(huán)境條件下的應用�
  4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛�
  5. 封裝設計堅固耐用,支持大電流處理能力�
  6. 內部�(yōu)化的寄生參數(shù)使其在高頻開關應用中表現(xiàn)�(yōu)��

應用

SI7214DN-T1-GE3 可以用于以下應用場景�
  1. 開關模式電源(SMPS)中的功率轉換模��
  2. 各類 DC-DC 轉換�,包括降�、升壓及反相電路�
  3. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關和保護電��
  4. 電機驅動器和逆變器,特別是小型直流電機或步進電��
  5. 照明系統(tǒng)中的 LED 驅動電路�
  6. �(shù)�(jù)通信設備中的信號切換與隔��
  7. 工業(yè)自動化設備中的電磁閥驅動和繼電器控制�

替代型號

SI7214DP, SI7214AL

si7214dn-t1-ge3推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si7214dn-t1-ge3參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET �2 � N 溝道(雙�
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫歐 @ 6.4A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs6.5nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? 1212-8 �
  • 供應商設備封�PowerPAK? 1212-8 Dual
  • 包裝帶卷 (TR)