SI7214DN-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用� TrenchFET 第三代技術,具有低導通電阻和高開關速度的特�,適用于要求高效能和低功耗的應用場景。其封裝形式� SO-8(PowerPAK SO-8�,能夠提供卓越的散熱性能和緊湊的設計方案�
該器件廣泛應用于消費電子、工�(yè)控制以及通信設備等領域,例如 DC-DC 轉換�、負載開關、電機驅動等�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±12V
連續(xù)漏極電流�24A
導通電阻(典型值)�2.5mΩ
總柵極電荷:6.7nC
輸入電容�930pF
工作溫度范圍�-55� to +175�
SI7214DN-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導通電�,有助于減少傳導損耗并提高效率�
2. 高效的開關性能,得益于較低的柵極電荷和快速的開關速度�
3. 工作溫度范圍寬廣,適合多種環(huán)境條件下的應用�
4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛�
5. 封裝設計堅固耐用,支持大電流處理能力�
6. 內部�(yōu)化的寄生參數(shù)使其在高頻開關應用中表現(xiàn)�(yōu)��
SI7214DN-T1-GE3 可以用于以下應用場景�
1. 開關模式電源(SMPS)中的功率轉換模��
2. 各類 DC-DC 轉換�,包括降�、升壓及反相電路�
3. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關和保護電��
4. 電機驅動器和逆變器,特別是小型直流電機或步進電��
5. 照明系統(tǒng)中的 LED 驅動電路�
6. �(shù)�(jù)通信設備中的信號切換與隔��
7. 工業(yè)自動化設備中的電磁閥驅動和繼電器控制�
SI7214DP, SI7214AL