SI7203-B-00-FV 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用微型 QFN 封裝,適用于需要高效率和低功耗的�(yīng)用場(chǎng)景。其主要特點(diǎn)是具有極低的�(dǎo)通電� (Rds(on)) 和快速開�(guān)能力,適合用于電源管�、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電池供電�(shè)備中�
由于其優(yōu)化的性能參數(shù),這款 MOSFET 特別適用于便攜式電子�(chǎn)�、通信�(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的�(shè)�(jì)。此�,它還具有出色的熱性能和電氣穩(wěn)定�,使其在緊湊型設(shè)�(jì)中表�(xiàn)�(yōu)異�
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
封裝:QFN 3x3mm
最大漏源電�(Vdss)�30V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�16A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.8mΩ (典型�,在 Vgs=10V �(shí))
總柵極電�(Qg)�24nC (典型�)
輸入電容(Ciss)�1950pF (典型�)
工作溫度范圍(Tj)�-55°C � +150°C
SI7203-B-00-FV 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力,能夠有效減少開�(guān)損��
3. 微型 QFN 封裝,節(jié)� PCB 空間,特別適合緊湊型�(shè)�(jì)�
4. 支漏極電�,適用于高功率應(yīng)用�
5. 高度�(wěn)定的電氣性能和耐熱�,確保在極端條件下的可靠�(yùn)行�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設(shè)備中�
這些特性使� SI7203-B-00-FV 成為高效電源管理和負(fù)載切換的理想選擇�
� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. DC-DC �(zhuǎn)換器和降�/升壓電路中的功率開關(guān)�
2. 筆記本電�、平板電腦及其他便攜式設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
3. 電池管理系統(tǒng) (BMS),用于保�(hù)鋰離子電池免受過流和短路的影��
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電�,例如無(wú)刷直流電�(jī) (BLDC) �(qū)�(dòng)�
5. 通信�(shè)備中的功率級(jí)�(diào)節(jié)�
6. 工業(yè)自動(dòng)化和家用電器中的功率�(zhuǎn)換模塊�
憑借其高性能和小尺寸,SI7203-B-00-FV 在眾多應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
SI7203-DK-E3
SI7202DN
Si7870DP