SI7201-B-05-IV 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道增強型功率 MOSFET,采用 TrenchFET 第三代技術制造。該器件具有極低的導通電阻和優(yōu)化的開關性能,適合高頻應用場合,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負載開關、電機驅(qū)動和電源管理等。其小尺寸封裝(SOIC-8)使得它非常適合空間受限的設計。
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流:4.2A
導通電阻(Rds(on)):6.5mΩ
柵極電荷:11nC
輸入電容:1290pF
工作結溫范圍:-55°C 至 +150°C
封裝類型:SOIC-8
SI7201-B-05-IV 具有超低導通電阻,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
采用 Vishay 的 TrenchFET 第三代技術,顯著改善了開關性能和熱穩(wěn)定性。
該器件具備高雪崩能力和魯棒性,能夠在惡劣環(huán)境下可靠運行。
支持高頻開關操作,適用于需要快速切換的應用場景。
緊湊的 SOIC-8 封裝設計節(jié)省 PCB 空間,同時簡化散熱管理。
SI7201-B-05-IV 廣泛應用于各種功率轉(zhuǎn)換和控制電路中,例如:
筆記本電腦及平板電腦適配器中的同步整流電路。
消費類電子產(chǎn)品的負載開關和保護電路。
分布式電源架構中的降壓或升壓轉(zhuǎn)換器。
小型電機驅(qū)動器中的橋式驅(qū)動電路。
電信設備中的二次側(cè)電源管理模塊。
SI4402DY
IRLZ44N
FDP5570
AO3400