SI7139DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用� TrenchFET Gen III 技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)秀的開(kāi)�(guān)性能,適用于需要高效能和高頻率操作的應(yīng)用場(chǎng)��
其封裝形式為 TO-252 (DPAK),能夠承受較高的電流�(fù)�,并具備出色的熱性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�28A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極電荷(典型值)�45nC
輸入電容(典型值)�1020pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
SI7139DP-T1-GE3 的主要特�(diǎn)是其非常低的�(dǎo)通電阻和高效率的�(kāi)�(guān)性能,這使得它非常適合于要求低損耗和高效率的�(yīng)用環(huán)��
1. 超低�(dǎo)通電阻:該器件在典型條件下具� 4.5mΩ 的導(dǎo)通電阻,從而減少了傳導(dǎo)損��
2. 高效率:由于采用了先�(jìn)� TrenchFET Gen III 技�(shù),此 MOSFET 在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色,適� DC/DC �(zhuǎn)換器等場(chǎng)景�
3. 小巧封裝:TO-252 封裝提供了良好的散熱性能同時(shí)保持了較小的尺寸�
4. 廣泛的工作溫度范圍:支持� -55°C � +175°C 的寬溫范�,滿足工�(yè)及汽�(chē)�(jí)�(yīng)用的需求�
5. 可靠性高:通過(guò)多項(xiàng)�(zhì)量測(cè)�,確保長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行�
SI7139DP-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)�,例如:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS)�
- AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
- 各類(lèi)工業(yè)電機(jī)控制
3. 照明系統(tǒng)�
- LED �(qū)�(dòng)�
4. 電池管理�
- 保護(hù)電路、充放電控制
5. 汽車(chē)電子�
- �(chē)載充電器、電�(dòng)助力�(zhuǎn)向系�(tǒng) (EPS) �
SI7156DP, IRF7846TRPBF, FDMQ8207