SI6968ADQ-T1-GE3 是一款由 Vishay 推出� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù)制�,具有極低的�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,適合高頻開�(guān)�(yīng)用。其封裝形式� PowerPAK SO-8,能夠提供出色的散熱性能和緊湊的�(shè)計方案�
該器件廣泛應(yīng)用于消費電子、通信�(shè)備以及工�(yè)控制等領(lǐng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電機驅(qū)動等�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�24A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型�,@ Vgs=10V�
柵極電荷�48nC(典型值)
輸入電容�2530pF(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:PowerPAK SO-8
SI6968ADQ-T1-GE3 的主要特點是其超低的�(dǎo)通電阻和高效率表�(xiàn)。得益于先進的 TrenchFET 技�(shù),這款 MOSFET 在高頻工作條件下能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗,并提高整體系�(tǒng)效率�
此外,該器件的高電流處理能力和寬溫度范圍使其非常適合在惡劣環(huán)境下運行的電路設(shè)計。同�,PowerPAK SO-8 封裝具備卓越的熱性能,可有效將熱量散�(fā)� PCB �,從而提升長期可靠��
它的快速開�(guān)特性和低柵極電荷使� SI6968ADQ-T1-GE3 成為高頻�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇,比如同步整流、多� VRM � POL �(zhuǎn)換器等場��
該芯片的主要�(yīng)用領(lǐng)域包括但不限于以下:
1. 筆記本電腦和臺式機中� DC-DC �(zhuǎn)換器
2. 多相 VRM � POL �(zhuǎn)換器
3. 電信和網(wǎng)�(luò)系統(tǒng)的負載開�(guān)
4. 電池供電�(shè)備中的高效電源管�
5. 各種電機�(qū)動和保護電路
6. 高效節(jié)能的 LED �(qū)動器
由于其高性能和靈活�,SI6968ADQ-T1-GE3 可以滿足多種�(fù)雜應(yīng)用需��
SI6967ADQ-T1-GE3, SI6969ADQ-T1-GE3