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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > SI6913DQ-T1-BE3

SI6913DQ-T1-BE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 13:03:50 查看 閱讀�21

SI6913DQ-T1-BE3 是一款由 Siliconix(現� Vishay 公司旗下品牌)生產的 N 溝道增強� MOSFET。該器件采用� TrenchFET? 第三代技�,具有極低的導通電阻和出色的開關性能,適用于高效�、高密度的電源轉換應�。其封裝形式� Hot FET? 封裝,有助于提高散熱性能并降低寄生電��
  該器件廣泛應用于 DC-DC 轉換器、負載點 (POL) 轉換、電池供電設備以及電機驅動等場景�

參數

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�24A
  導通電阻(典型值)�1.3mΩ
  柵極電荷(典型值)�57nC
  總電容(輸入電容):1090pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-263-3L(DPAK�

特�

SI6913DQ-T1-BE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電� (Rds(on)),能夠有效降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 高電流處理能�,支持高� 24A 的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開關性能,得益于�(yōu)化的柵極電荷設計,適合高頻應用�
  4. 寬工作溫度范� (-55� � +175�),確保在極端�(huán)境下的可靠��
  5. 熱增強型封裝設計,提高了散熱能力和電氣性能�
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛�
  7. 可靠性經過嚴格測�,適合工�(yè)和消費類應用�

應用

SI6913DQ-T1-BE3 常用于以下應用場景:
  1. 開關電源(SMPS)中的同步整流�
  2. DC-DC 轉換器中的高端或低端開關�
  3. 電池保護電路中的充放電控��
  4. 電機驅動中的功率級控��
  5. 工業(yè)自動化設備中的負載切��
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理�
  7. 筆記本電腦和服務器的電源模塊設計�

替代型號

SI6912DY-T1-E3, IRF7840PBF, AO3400A

si6913dq-t1-be3推薦供應� 更多>

  • 產品型號
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si6913dq-t1-be3參數

  • 現有數量0現貨查看交期
  • 價格1 : �17.01000剪切帶(CT�3,000 : �7.77559卷帶(TR�
  • 系列TrenchFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產品狀�(tài)在售
  • 技�MOSFET(金屬氧化物�
  • 配置2 � P 溝道(雙�
  • FET 功能-
  • 漏源電壓(Vdss�12V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)4.9A(Ta�
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)21 毫歐 @ 5.8A�4.5V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)900mV @ 400μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)28nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)-
  • 功率 - 最大�830mW(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-TSSOP�0.173"�4.40mm 寬)
  • 供應商器件封�8-TSSOP