SI6913DQ-T1-BE3 是一款由 Siliconix(現� Vishay 公司旗下品牌)生產的 N 溝道增強� MOSFET。該器件采用� TrenchFET? 第三代技�,具有極低的導通電阻和出色的開關性能,適用于高效�、高密度的電源轉換應�。其封裝形式� Hot FET? 封裝,有助于提高散熱性能并降低寄生電��
該器件廣泛應用于 DC-DC 轉換器、負載點 (POL) 轉換、電池供電設備以及電機驅動等場景�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�24A
導通電阻(典型值)�1.3mΩ
柵極電荷(典型值)�57nC
總電容(輸入電容):1090pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-263-3L(DPAK�
SI6913DQ-T1-BE3 的主要特性包括:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),能夠有效降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高電流處理能�,支持高� 24A 的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開關性能,得益于�(yōu)化的柵極電荷設計,適合高頻應用�
4. 寬工作溫度范� (-55� � +175�),確保在極端�(huán)境下的可靠��
5. 熱增強型封裝設計,提高了散熱能力和電氣性能�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛�
7. 可靠性經過嚴格測�,適合工�(yè)和消費類應用�
SI6913DQ-T1-BE3 常用于以下應用場景:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流�
2. DC-DC 轉換器中的高端或低端開關�
3. 電池保護電路中的充放電控��
4. 電機驅動中的功率級控��
5. 工業(yè)自動化設備中的負載切��
6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理�
7. 筆記本電腦和服務器的電源模塊設計�
SI6912DY-T1-E3, IRF7840PBF, AO3400A