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SI5435BDC-T1-E3 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 16:29:18 查看 閱讀�23

SI5435BDC-T1-E3是Silicon Labs公司推出的一款低抖動、高精度的晶體振蕩器(XO�。能夠提供高�2.2GHz的穩(wěn)定輸出頻�,并支持多種工作模式。其�(shè)計適用于對時鐘信號要求極高的通信系統(tǒng)、網(wǎng)�(luò)�(shè)備和測試測量儀器等場景。由于采用了DSPLL技�(shù),SI5435BDC-T1-E3具備出色的相位噪聲性能和抗干擾能力,同時支持I2C接口進行配置,方便用戶靈活調(diào)整工作參�(shù)�
  此外,它還具有較低的功耗特性,在滿足高性能需求的同時也兼顧了節(jié)能效��

參數(shù)

類型:晶體振蕩器(XO)
  封裝�8引腳3.2x2.5mm QFN
  頻率范圍�10kHz~2.2GHz
  電源電壓�1.8V/2.5V/3.3V可選
  功耗:最�[email protected]
  相位抖動:典型值為17fs RMS(12kHz~20MHz)
  I2C接口:支持配置與�(jiān)�
  工作溫度范圍�-40℃~+125�
  存儲溫度范圍�-55℃~+150�

特�

SI5435BDC-T1-E3擁有卓越的性能表現(xiàn),其中最突出的特點是其超低相位噪聲以及優(yōu)秀的穩(wěn)定性。具體特性如下:
  1. 超低抖動:憑借先進的DSPLL架構(gòu),該器件實現(xiàn)了低�17fs RMS的相位抖�,非常適合高速數(shù)�(jù)傳輸和精密測量應(yīng)��
  2. 寬頻帶支持:覆蓋�10kHz�2.2GHz的頻率范�,幾乎可以滿足所有現(xiàn)代電子系�(tǒng)的時鐘需��
  3. 靈活配置:通過I2C接口,用戶可以根�(jù)實際需要動�(tài)�(diào)整輸出頻率和其他相關(guān)參數(shù)�
  4. 高度集成:內(nèi)置完整的振蕩電路及鎖相環(huán)路,無需額外添加外圍元件即可實現(xiàn)功能�
  5. 小尺寸封裝:3.2x2.5mm的緊湊型�(shè)計使其成為空間受限環(huán)境中理想的選��
  6. 廣泛的工作溫度范圍:能夠在極端條件下保持�(wěn)定的性能輸出�

�(yīng)�

SI5435BDC-T1-E3因其�(yōu)異的性能而被廣泛�(yīng)用于多個領(lǐng)域:
  1. �(shù)�(jù)通信:用于光纖通信�(shè)備中的參考時鐘源,確保數(shù)�(jù)鏈路層同步��
  2. �(wǎng)�(luò)基礎(chǔ)�(shè)施:包括路由�、交換機等核心網(wǎng)�(luò)組件中,作為�(guān)鍵時鐘模塊以維持整個系�(tǒng)的正常運�(zhuǎn)�
  3. 測試測量:在示波�、頻譜分析儀等專�(yè)儀器里充當(dāng)高精度的時間基準(zhǔn)�
  4. 消費電子�(chǎn)品:如高端音頻播放器、視頻處理單元等�(lǐng)域也需要此類高品質(zhì)的時鐘源�

替代型號

SI5445BDC-T1-E3
  SI5338A
  LMK04828

si5435bdc-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si5435bdc-t1-e3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SI5435BDC
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫歐 @ 4.3A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs24nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SMD,扁平引�
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�1206-8 ChipFET?
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI5435BDC-T1-E3TR