時(shí)間：2025/5/21 10:00:57
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SI4948EY-T1-GE3是Vishay公司生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET功率晶體管。該器件采用TrenchFET? Gen III技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特性，適合用于各種開關(guān)應(yīng)用中，例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及電源管理等場景。
該芯片采用了TO-263-3封裝形式（也稱為DPAK），具備良好的散熱性能，能夠適應(yīng)較為嚴(yán)苛的工作環(huán)境。
最大漏源電壓：30V
最大柵源電壓：±8V
連續(xù)漏極電流：38A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：1.2mΩ（典型值，在Vgs=10V時(shí)）
柵極電荷：175nC（典型值）
開關(guān)時(shí)間：開態(tài)時(shí)間（t_on）=22ns，關(guān)態(tài)時(shí)間（t_off）=17ns
工作結(jié)溫范圍：-55°C至+175°C
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于減少導(dǎo)通損耗并提高整體效率。
2. 快速開關(guān)速度，適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。
3. 高電流承載能力，可以滿足大功率應(yīng)用需求。
4. 具備優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性，能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。
5. 封裝設(shè)計(jì)緊湊，節(jié)省PCB空間的同時(shí)保持良好散熱性能。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中。
1. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器，特別是降壓轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)或同步整流開關(guān)。
3. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)。
4. 電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)電路。
5. 各類消費(fèi)類電子產(chǎn)品、工業(yè)設(shè)備及通信設(shè)備中的功率管理模塊。
6. 可作為高效能的電子開關(guān)應(yīng)用于汽車電子領(lǐng)域。
IRLR7843PBF, SI4846DY, FDS8667
