SI4943DY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道邏輯電平增強型 MOSFET。該器件采用小型化封裝,專為高效率開關(guān)應用設計,適用于消費電子、工業(yè)控制以及通信設備等領域。
該 MOSFET 的最大特點是其低導通電阻和快速開關(guān)能力,能夠在高頻條件下提供出色的性能表現(xiàn),同時保持較低的功耗。
型號:SI4943DY-T1-E3
封裝:TO-252 (DPAK)
Vds(漏源電壓):60V
Rds(on)(導通電阻):17mΩ(典型值,Vgs=10V)
Id(連續(xù)漏極電流):28A
Qg(柵極電荷):10nC
Vgs(th)(柵源閾值電壓):2.5V~4.5V
fmax(最高工作頻率):1MHz
Pd(總功耗):15W
SI4943DY-T1-E3 提供了以下顯著特性:
1. 低導通電阻(Rds(on)),能夠減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)速度,得益于其低柵極電荷(Qg),適合高頻應用。
3. 高額定電流 Id,確保在高負載條件下的穩(wěn)定運行。
4. 小型 DPAK 封裝,便于 PCB 布局設計,同時有助于散熱管理。
5. 寬 Vgs 范圍支持各種驅(qū)動電路,兼容不同邏輯電平輸入。
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的要求。
該 MOSFET 廣泛應用于多種領域,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC/DC 轉(zhuǎn)換器及降壓/升壓電路。
3. 電機驅(qū)動與控制電路。
4. LED 照明驅(qū)動電路。
5. 工業(yè)自動化設備中的功率開關(guān)。
6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護開關(guān)。
7. 通信設備中的信號切換和功率分配。
IRFZ44N
STP28NF06L
FDP5570
AO4402