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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > SI4936DY-T1-GE3

SI4936DY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 8:45:21 查看 閱讀�29

SI4936DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產� N 溝道增強� MOSFET 功率晶體管。該器件采用 TrenchFET? 第三代技�,具有極低的導通電阻和高效率性能,適用于高頻開關電源、DC-DC 轉換�、負載開關以及其他功率管理應�。其封裝形式� SO-8(PowerPAK? SO-8�,具有出色的散熱特性和緊湊的設��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�29A
  導通電阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,� Vgs=10V 時)
  柵極電荷�15nC(典型值)
  總柵極電荷:27nC(典型值)
  工作結溫范圍�-55°C � +175°C
  封裝類型:SO-8

特�

SI4936DY-T1-GE3 使用先進的 TrenchFET? 第三代工藝制�,具備以下顯著特點:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠有效降低傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高效的開關性能,適合高頻應用環(huán)��
  3. 小巧� PowerPAK? SO-8 封裝,便于在空間受限的應用中使用�
  4. 支持大電流運�,滿足高性能功率轉換需��
  5. 工作溫度范圍寬廣,適應各種惡劣環(huán)境下的使用�
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠性高�
  這些特性使得該器件成為眾多功率管理應用的理想選�,特別是在需要高效能與小尺寸設計的情況下�

應用

SI4936DY-T1-GE3 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關模式電源 (SMPS),包� AC-DC � DC-DC 轉換��
  2. OR-ing 應用中的理想二極管功��
  3. 多種負載開關和保護電��
  4. 電機驅動與控��
  5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控��
  6. 高效功率逆變器和光伏逆變��
  由于其低導通電阻和高頻性能,這款 MOSFET 在提升系�(tǒng)效率和減小整體尺寸方面表�(xiàn)�(yōu)��

替代型號

SI4938DY, SIH4936E

si4936dy-t1-ge3推薦供應� 更多>

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