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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI4927DY-T1-E3

SI4927DY-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 10:28:11 查看 閱讀�5

SI4927DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用� Vishay � Silicon-Infineon 技�(shù),旨在提供高效率和卓越的性能表現(xiàn)。其�(shè)�(jì)主要面向需要低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的應(yīng)用場(chǎng)��
  該型�(hào)采用小型化的 TOLL 封裝形式,具備出色的散熱性能和電氣特性,適用于多種工�(yè)、汽�(chē)和消�(fèi)電子�(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�84A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.4mΩ
  柵極電荷�128nC
  反向恢復(fù)�(shí)間:50ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

SI4927DY-T1-E3 具有超低的導(dǎo)通電阻和�(yōu)化的柵極電荷,能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗和�(kāi)�(guān)損�。其高電流承載能力和耐熱增強(qiáng)型封裝使其非常適合于要求苛刻的電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用�
  該器件還具備�(qiáng)大的抗雪崩能�,能夠在短路或過(guò)載情況下保持�(wěn)定運(yùn)�。此外,TOLL 封裝形式支持自動(dòng)光學(xué)檢測(cè),并且無(wú)需在印刷電路板上開(kāi)�,從而簡(jiǎn)化了制造工藝并提高了可靠性�
  其優(yōu)越的性能指標(biāo)使得 SI4927DY-T1-E3 成為高效功率變換�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及 DC/DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于高性能電源管理系統(tǒng)�,包括但不限于以下場(chǎng)景:
  1. 服務(wù)器和通信�(shè)備中的大功率 DC/DC �(zhuǎn)換器
  2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)及逆變�
  3. 新能源汽�(chē)中的�(chē)載充電器與電池管理系�(tǒng)
  4. 高效照明系統(tǒng)� LED �(qū)�(dòng)
  5. 太陽(yáng)能微型逆變器及其他可再生能源解決方�
  由于其優(yōu)異的熱特性和電流處理能力,該器件也非常適合用于高頻開(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS) � UPS 系統(tǒng)�

替代型號(hào)

SIH4927DP-T1-E3
  STP80NE06L
  IRLB8748PBF

si4927dy-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

si4927dy-t1-e3參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • �(chǎn)品種�(lèi)MOSFET
  • 晶體管極�P-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓30 V
  • �/源擊穿電�+/- 20 V
  • 漏極連續(xù)電流7.4 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)28 mOhms
  • 配置Dual
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝�(fēng)�SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SOIC-8 Narrow
  • 封裝Reel
  • 下降�(shí)�42 ns
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散2.5 W
  • 上升�(shí)�9 ns
  • 工廠包裝�(shù)�2500
  • 典型�(guān)閉延遲時(shí)�75 ns
  • 零件�(hào)別名SI4927DY-E3