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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI4922DY-T1-GE3

SI4922DY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 21:17:20 查看 閱讀�10

SI4922DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。其封裝形式� ThinSOT-23(SC-89�,非常適合空間受限的�(shè)�(jì)�(chǎng)��
  由于采用了先�(jìn)的制造工�,SI4171D 在小型化的同�(shí)依然保持了出色的電氣性能和熱性能,使其成為便攜式�(shè)備的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�2.9A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�55mΩ
  柵極電荷(典型值)�2.5nC
  輸入電容(典型值)�120pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
  封裝類型:ThinSOT-23

特�

SI4922DY-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高效率�
  2. 高開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
  3. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間�
  4. 出色的熱�(wěn)定�,確保在寬溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)行�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛材��
  6. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,提升抗靜電能力�

�(yīng)�

該器件廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 手機(jī)充電器及適配器中的同步整流電��
  2. 便攜式電子設(shè)備(如平板電�、藍(lán)牙音箱等)的�(fù)載開�(guān)�
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  4. 低功耗電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  5. 電池管理系統(tǒng)的開�(guān)元件�
  6. 各類消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理模��

替代型號(hào)

SI4406DY, SI4407DY, SI4408DY

si4922dy-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)