SI4921DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET? 第三代技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和出色的開�(guān)性能,適合高頻開�(guān)�(yīng)用以及高效率電源�(zhuǎn)換場景�
其封裝形式為表面貼裝� SO-8 封裝,具備緊湊的�(shè)計和良好的散熱性能。由于其�(yōu)異的電氣特�,SI4921DY-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于消費電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備等�(lǐng)��
型號:SI4921DY-T1-GE3
類型:N溝道 MOSFET
VDS(漏源極電壓):30V
RDS(on)(導(dǎo)通電�,典型值@VGS=10V):1.4mΩ
ID(連續(xù)漏極電流):79A
VGS(th)(柵極開啟電壓)�1.5V~2.5V
Qg(總柵極電荷):35nC
EAS(雪崩能量)�6.5mJ
封裝:SO-8
工作溫度范圍�-55°C ~ +175°C
SI4921DY-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)�,能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高電流處理能力(最� ID � 79A),適用于大功率�(yīng)用場��
3. 緊湊� SO-8 封裝�(shè)�,節(jié)� PCB 空間,同時提供良好的散熱性能�
4. 快速開�(guān)速度,得益于� Qg 和優(yōu)化的寄生參數(shù),適合高頻開�(guān)�(yīng)��
5. 寬工作溫度范圍(-55°C � +175°C�,確保在極端�(huán)境下的可靠運行�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于通過相關(guān)認證�
這些特性使 SI4921DY-T1-GE3 成為 DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)�、負載開�(guān)等應(yīng)用的理想選擇�
SI4921DY-T1-GE3 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�,如 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機�(qū)動電�,用于控制小型直流電機或步進電機�
3. 負載開關(guān)和保護電�,用于便攜式電子�(shè)備中的過流保護�
4. 多相 VRM(電壓調(diào)節(jié)模塊)設(shè)�,用于高性能處理器供電�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模��
6. 通信�(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換方案�
其低 RDS(on) 和高開關(guān)頻率特性使其成為這些�(yīng)用中的關(guān)鍵元��
SI4931DY-T1-GE3
SI4922DY-T1-GE3
IRF7843
FDP5570