SI4914DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采� TSSOP-8 封裝。該器件�(shè)�(jì)用于需要高效率和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場景,廣泛適用于消�(fèi)電子、通信�(shè)備及工業(yè)控制�(lǐng)��
這款 MOSFET 的主要特�(diǎn)是其極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在高頻開關(guān)條件下保持高效的性能表現(xiàn),同�(shí)具備出色的熱特性和電氣�(wěn)定��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�5.7A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):28mΩ
柵極電荷�20nC
總電容:115pF
工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
封裝類型:TSSOP-8
SI4914DY-T1-E3 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在典型值為 28mΩ �(shí)可有效降低傳�(dǎo)損��
2. 高效的開�(guān)性能,適用于高頻�(yīng)用環(huán)��
3. 較小的封裝尺寸,便于 PCB 布局�(shè)�(jì)�
4. 良好的熱�(wěn)定性和耐受能力,確保在極端溫度條件下的可靠��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
6. �(nèi)置反向二極管,支持同步整流和其他�(fù)雜電路設(shè)�(jì)�
SI4914DY-T1-E3 可應(yīng)用于多種場景,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流��
2. DC/DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電路�
4. 電池保護(hù)和管理系�(tǒng)�
5. 便攜式設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
6. 工業(yè)自動(dòng)化和過程控制中的信號切換�
7. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理模��
SI4915DY, SI4916DY, IRF7833