SI4890DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用� TrenchFET Gen III 技�(shù),旨在實(shí)�(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高效率性能。它適合用于�(kāi)�(guān)電源、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��
SI4890DY-T1-GE3 的封裝形式為 SOT-23-3L,具有小尺寸和高散熱效率的特�(diǎn),使其非常適合空間受限的�(shè)�(jì)�
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流�4.2A
最大柵源電壓:±8V
�(dǎo)通電阻(典型值)�5.7mΩ
柵極電荷�3.2nC
反向恢復(fù)�(shí)間:不適用(�(wú)�(nèi)置二極管�
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝�(lèi)型:SOT-23-3L
SI4890DY-T1-GE3 的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電�,僅� 5.7mΩ(典型值),這使得其在導(dǎo)通狀�(tài)下的功耗極低,從而提高了整體系統(tǒng)效率�
此外,其小型化的 SOT-23-3L 封裝非常適合于便攜式�(shè)備和�(duì) PCB 空間要求�(yán)格的�(yīng)用中�
該器件還具備出色的熱�(wěn)定�,能夠在 -55°C � +175°C 的寬溫范圍內(nèi)可靠工作,適用于工業(yè)和汽�(chē)等苛刻環(huán)境中的應(yīng)��
TrenchFET Gen III 技�(shù)的應(yīng)用�(jìn)一步提升了其電氣性能和可靠��
SI4890DY-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于各種功率電子電路中,包括但不限于�
1. �(kāi)�(guān)電源(Switching Power Supplies�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電池管理與保�(hù)
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制
5. �(fù)載開(kāi)�(guān)
6. 工業(yè)自動(dòng)化與控制
7. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)換模�
由于其低�(dǎo)通電阻和高效率特�,這款 MOSFET 特別適合需要高頻開(kāi)�(guān)和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)��
SI4884DY, SI4891DY, IRF7843TRPBF