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SI4890DY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 8:53:47 查看 閱讀�22

SI4890DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用� TrenchFET Gen III 技�(shù),旨在實(shí)�(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高效率性能。它適合用于�(kāi)�(guān)電源、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��
  SI4890DY-T1-GE3 的封裝形式為 SOT-23-3L,具有小尺寸和高散熱效率的特�(diǎn),使其非常適合空間受限的�(shè)�(jì)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏極電流�4.2A
  最大柵源電壓:±8V
  �(dǎo)通電阻(典型值)�5.7mΩ
  柵極電荷�3.2nC
  反向恢復(fù)�(shí)間:不適用(�(wú)�(nèi)置二極管�
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝�(lèi)型:SOT-23-3L

特�

SI4890DY-T1-GE3 的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電�,僅� 5.7mΩ(典型值),這使得其在導(dǎo)通狀�(tài)下的功耗極低,從而提高了整體系統(tǒng)效率�
  此外,其小型化的 SOT-23-3L 封裝非常適合于便攜式�(shè)備和�(duì) PCB 空間要求�(yán)格的�(yīng)用中�
  該器件還具備出色的熱�(wěn)定�,能夠在 -55°C � +175°C 的寬溫范圍內(nèi)可靠工作,適用于工業(yè)和汽�(chē)等苛刻環(huán)境中的應(yīng)��
  TrenchFET Gen III 技�(shù)的應(yīng)用�(jìn)一步提升了其電氣性能和可靠��

�(yīng)�

SI4890DY-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于各種功率電子電路中,包括但不限于�
  1. �(kāi)�(guān)電源(Switching Power Supplies�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電池管理與保�(hù)
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制
  5. �(fù)載開(kāi)�(guān)
  6. 工業(yè)自動(dòng)化與控制
  7. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)換模�
  由于其低�(dǎo)通電阻和高效率特�,這款 MOSFET 特別適合需要高頻開(kāi)�(guān)和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

SI4884DY, SI4891DY, IRF7843TRPBF

si4890dy-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

si4890dy-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C-
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫歐 @ 11A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)800mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs20nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)