SI4884DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用� TrenchFET Gen III 技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適用于高頻開關(guān)�(yīng)用和功率�(zhuǎn)換電�。其封裝形式� TSOT23-6L 小型表面貼裝封裝,適合高密度�(shè)�(jì)�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�3.9A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):57mΩ
柵極電荷�13nC
開關(guān)頻率:高�(dá) 2MHz
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝形式:TSOT23-6L
SI4884DY-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可有效減少功率損耗�
2. 高速開�(guān)性能,適合高� DC/DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)和其他功率管理應(yīng)用�
3. TrenchFET 第三代技�(shù)�(yōu)化了器件的電氣性能和熱性能�
4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
5. 小型 TSOT23-6L 封裝,適合緊湊型�(shè)�(jì)�
6. 寬泛的工作溫度范�,能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
這款 MOSFET 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 移動(dòng)�(shè)備中� DC/DC �(zhuǎn)換器�
2. 筆記本電腦和平板電腦的電源管理模塊�
3. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
4. 工業(yè)控制中的信號(hào)切換�
5. LED 照明�(qū)�(dòng)電路�
6. 各類便攜式電子設(shè)備的功率�(diào)節(jié)系統(tǒng)�
SI4862DY, SI4426DY, BSC016N06NSG