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SI4884BDY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 17:37:26 查看 閱讀�33

SI4884BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù),旨在提供出色的�(dǎo)通電� (Rds(on)) 性能和高開關(guān)速度,適用于各種高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其封裝形式� ThermOpak? (TO-263) 封裝,具有良好的熱性能�
  � MOSFET 的耐壓等級� 60V,適合中低壓�(yīng)用場�,并且能夠處理較高的持續(xù)電流,從而在�(fù)載切�、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)動等�(yīng)用中表現(xiàn)出色�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�57A
  �(dǎo)通電阻:1.3mΩ(典型值,� Vgs=10V 下)
  柵極電荷�29nC(典型值)
  總電容:1640pF(輸入電� Ciss�
  功耗:234W
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝:ThermOpak? (TO-263-3)
  反向恢復(fù)時間:不適用(無�(nèi)置二極管�

特�

SI4884BDY-T1-GE3 使用� Vishay � TrenchFET 第三代技�(shù),大幅降低了�(dǎo)通電� Rds(on),從而減少了�(dǎo)電損�,提高了系統(tǒng)效率�
  該器件還具有快速開�(guān)能力,可以有效降低開�(guān)損�,尤其在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)突出�
  其低柵極電荷和輸出電荷特性�(jìn)一步優(yōu)化了動態(tài)性能,使它非常適合用于同步整�、降�/升壓�(zhuǎn)換器以及電池保護(hù)電路�
  此外,該�(chǎn)品支持高�(dá) 175� 的工作結(jié)�,能夠在惡劣的環(huán)境條件下可靠運行�

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛�(yīng)用于工業(yè)、汽車和消費電子�(lǐng)�,具體包括但不限于以下場景:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流;
  2. 電動工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)��
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換;
  4. DC-DC �(zhuǎn)換器和逆變器設(shè)��
  5. 高效� LED �(qū)動器�
  6. 電動汽車及混合動力汽車中的輔助電源管��
  7. 電池管理系統(tǒng)(BMS��

替代型號

SI4880DY, SI4882BP, IRF7767

si4884bdy-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si4884bdy-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C16.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 毫歐 @ 10A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs35nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1525pF @ 15V
  • 功率 - 最�4.45W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)