SI4850EY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的高功率 MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用。該器件采用� Vishay 的最新一� TrenchFET 技�(shù),具有低�(dǎo)通電� (Rds(on)) 和高效率的特�(diǎn),能夠在高頻工作條件下提供出色的性能�
此型�(hào)屬于 Vishay Siliconix 系列,專門(mén)�(shè)�(jì)用于需要高電流處理能力和低功耗的�(yīng)用場(chǎng)��
類型:MOSFET
封裝:TO-263-7
最大漏源電� (Vdss)�60V
最大連續(xù)漏極電流 (Id)�50A
�(dǎo)通電� (Rds(on))�1.5mΩ
柵極電荷 (Qg)�45nC
總功� (Ptot)�165W
工作溫度范圍 (Tj)�-55°C � +175°C
SI4850EY-T1-E3 使用了先�(jìn)� TrenchFET Gen IV 技�(shù),從而實(shí)�(xiàn)了更低的�(dǎo)通電阻和更高的效��
其主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(1.5mΩ�,能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗�
2. 高電流處理能力(最� 50A 持續(xù)電流�,適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景�
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,得益于�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),適合高頻開(kāi)�(guān)電路�
4. 寬工作溫度范圍(-55°C � +175°C),使其在極端環(huán)境下也能可靠�(yùn)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
此外,該器件還具有優(yōu)異的熱性能和可靠�,非常適合工�(yè)�(jí)和汽車級(jí)�(yīng)用�
SI4850EY-T1-E3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高端或低端開(kāi)�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(kāi)�(guān)�
4. 太陽(yáng)能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和控制�
由于其高電流能力和低�(dǎo)通電�,該芯片特別適合需要高效能量轉(zhuǎn)換和低發(fā)熱的�(yīng)用場(chǎng)��
SI4849DY, IRF7729TRPBF