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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI4850EY-T1-E3

SI4850EY-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 16:33:53 查看 閱讀�27

SI4850EY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的高功率 MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用。該器件采用� Vishay 的最新一� TrenchFET 技�(shù),具有低�(dǎo)通電� (Rds(on)) 和高效率的特�(diǎn),能夠在高頻工作條件下提供出色的性能�
  此型�(hào)屬于 Vishay Siliconix 系列,專門(mén)�(shè)�(jì)用于需要高電流處理能力和低功耗的�(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

類型:MOSFET
  封裝:TO-263-7
  最大漏源電� (Vdss)�60V
  最大連續(xù)漏極電流 (Id)�50A
  �(dǎo)通電� (Rds(on))�1.5mΩ
  柵極電荷 (Qg)�45nC
  總功� (Ptot)�165W
  工作溫度范圍 (Tj)�-55°C � +175°C

特�

SI4850EY-T1-E3 使用了先�(jìn)� TrenchFET Gen IV 技�(shù),從而實(shí)�(xiàn)了更低的�(dǎo)通電阻和更高的效��
  其主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(1.5mΩ�,能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗�
  2. 高電流處理能力(最� 50A 持續(xù)電流�,適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景�
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度,得益于�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),適合高頻開(kāi)�(guān)電路�
  4. 寬工作溫度范圍(-55°C � +175°C),使其在極端環(huán)境下也能可靠�(yùn)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
  此外,該器件還具有優(yōu)異的熱性能和可靠�,非常適合工�(yè)�(jí)和汽車級(jí)�(yīng)用�

�(yīng)�

SI4850EY-T1-E3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高端或低端開(kāi)�(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(kāi)�(guān)�
  4. 太陽(yáng)能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和控制�
  由于其高電流能力和低�(dǎo)通電�,該芯片特別適合需要高效能量轉(zhuǎn)換和低發(fā)熱的�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

SI4849DY, IRF7729TRPBF

si4850ey-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

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  • 型號(hào)
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si4850ey-t1-e3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SI4850EY
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C22 毫歐 @ 6A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs27nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.7W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI4850EY-T1-E3TR