SI4831-B30-GUR 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技術制造,具有極低的導通電阻和�(yōu)化的開關性能,適用于高效�、高頻應用場�。其封裝形式為表面貼裝的 UPAK�6 引腳),非常適合緊湊型設��
型號:SI4831-B30-GUR
類型:N 溝道功率 MOSFET
Vds(漏源極電壓):30V
Rds(on)(導通電阻)�2.5mΩ(在 Vgs=10V 時)
Id(連續(xù)漏極電流):76A
Ptot(總功耗)�1.6W
柵極電荷(Qg):29nC
開關時間:t_on=13ns;t_off=26ns
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝:UPAK�6 引腳�
SI4831-B30-GUR 具有超低導通電�,可顯著降低傳導損�,從而提升系�(tǒng)的整體效�。此�,它具備快速開關速度,有助于減少開關損�,適合高頻應用場景�
由于采用了先進的 TrenchFET 第三代技�,該 MOSFET 在保持高性能的同�,還提供了出色的熱穩(wěn)定性和可靠性。它的小型化封裝也使其成為對空間敏感的設計的理想選擇�
此外,該器件支持高達 175°C 的工作溫度范�,能夠在惡劣�(huán)境下長期可靠運行,廣泛適用于工業(yè)及汽車電子領��
該功� MOSFET 主要應用于需要高效功率轉換和低損耗的場景,例� DC-DC 轉換器、同步整流器、電機驅動電�、負載切換以及電池保護等。其� Rds(on) 和高頻特性使其特別適合于筆記本電腦適配器、服務器電源模塊、通信電源設備以及其他便攜式電子產(chǎn)品的電源管理系統(tǒng)�
同時,由于其較高的工作溫度范�,SI4831-B30-GUR 還可以用于汽車電子系�(tǒng)�,如電動助力轉向、LED 驅動、啟動停止系�(tǒng)��
SI4838DY-E3, SI4844DY-E3