SI4822DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用小型化的 TO-263-3 封裝,廣泛用于開�(guān)電源、負(fù)載開�(guān)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他功率管理�(yīng)用中。其低導(dǎo)通電阻和高效率特性使得它在需要高效能功率切換的應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
這款 MOSFET 通過�(yōu)化設(shè)�(jì)�(shí)�(xiàn)了更低的功耗和更高的可靠�,適用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制和汽車電子等多�(gè)�(lǐng)��
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏電流:7.2A
最大柵極驅(qū)�(dòng)電壓:�20V
�(dǎo)通電阻(典型值)�15mΩ
總功耗:29W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-263-3
SI4822DY-T1-GE3 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),從而降低導(dǎo)通損耗并提高整體效率�
2. 較高的漏源擊穿電� (BVDSS),能夠承受較高的瞬態(tài)電壓沖擊�
3. 快速開�(guān)速度,減少了開關(guān)損耗,并適合高頻應(yīng)��
4. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�(shè)�(jì)�
6. 寬廣的工作溫度范�,使其能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
這些特性共同確保了 SI4822DY-T1-GE3 在各種復(fù)雜電路中的高性能表現(xiàn)�
該型�(hào)� MOSFET 可以�(yīng)用于以下場景�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元��
2. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器中作為功率開�(guān)�
3. 電池保護(hù)和管理系�(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
5. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和信�(hào)切換�
6. 消費(fèi)電子�(chǎn)品中的過流保�(hù)和短路保�(hù)功能�(shí)�(xiàn)�
由于其高效的性能和廣泛的適用�,SI4822DY-T1-GE3 成為許多�(shè)�(jì)工程師的首選器件�
SI4823DY, IRFZ44N, FDP5800