SI4804DY-T1-GE3 是一款來� Vishay Siliconix � N 溝道增強� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技術,具有低導通電阻和高開關效率的特點,適用于需要高效能功率轉換的應用場�。其封裝形式為小外形晶體� SOT-23 封裝,非常適合空間受限的設計�
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵源電�(Vgs):�8V
連續(xù)漏極電流(Id)�4.2A
導通電�(Rds(on))�75mΩ
柵極電荷(Qg)�5nC
總電�(Ciss)�490pF
開關速度:快�
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
SI4804DY-T1-GE3 使用� Vishay 的先� TrenchFET 技�,確保其具備以下�(yōu)勢:
1. 極低的導通電� Rds(on),在 4.5V 柵極�(qū)動下僅為 75mΩ,從而減少導通損耗�
2. 小巧� SOT-23 封裝使其成為緊湊型設計的理想選擇�
3. 高效的開關性能,適合高頻應��
4. 具有出色的熱�(wěn)定性和耐用�,能夠在極端溫度條件下可靠運行�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
這款 MOSFET 廣泛應用于消費電�、通信設備以及工業(yè)控制領域,具體包括:
1. DC-DC 轉換器中的同步整��
2. 開關電源(SMPS)的初級或次級側開關�
3. 電池管理系統(tǒng)的負載開��
4. 電機�(qū)動電路中的功率開��
5. 保護電路中的過流保護元件�
6. 各種便攜式設備中的電源管理單��
SI4804DY, BSS138, FDN340P