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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI4564DY-T1-GE3

SI4564DY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 19:05:57 查看 閱讀�27

SI4564DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用� TrenchFET? 第三代技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特�,非常適合于高頻開關(guān)�(yīng)用和負載切換場景�
  其封裝形式為 PowerPAK? SO-8 封裝,能夠提供出色的散熱性能和電氣性能。該芯片廣泛�(yīng)用于 DC/DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)�、負載開�(guān)以及其他需要高效功率管理的電子�(shè)備中�

參數(shù)

型號:SI4564DY-T1-GE3
  類型:N溝道 MOSFET
  Vds(漏源極耐壓):60V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�4.5mΩ(在 Vgs=10V 時)
  Id(連續(xù)漏極電流):29A
  Qg(總柵極電荷):37nC
  EAS(雪崩能量)�3.2mJ
  封裝:PowerPAK? SO-8
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

SI4564DY-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),可有效降低�(dǎo)通損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)��
  3. 總柵極電� Qg 較小,降低了�(qū)動功耗�
  4. 強大的雪崩能力和�(wěn)健的短路耐受能力,提升了器件的可靠��
  5. 采用 PowerPAK? SO-8 封裝,具備良好的散熱特性和緊湊尺寸�
  6. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
  7. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設(shè)計�

�(yīng)�

該芯片適用于以下�(yīng)用場景:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC/DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 電機�(qū)動電路中的功率控制元��
  3. 便攜式電子設(shè)備中的負載開�(guān)�
  4. 計算機及外設(shè)中的高效功率管理模塊�
  5. 工業(yè)自動化和汽車電子�(lǐng)域的功率�(zhuǎn)換與控制�
  6. 各種需要高頻開�(guān)和低功耗的�(yīng)用場��

替代型號

SI4563DY, SI4565DY, IRF7833PbF

si4564dy-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

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si4564dy-t1-ge3參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET �N � P 溝道
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C10A�9.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C17.5 毫歐 @ 8A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs31nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds855pF @ 20V
  • 功率 - 最�3.1W�3.2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI4564DY-T1-GE3TR