SI4564DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用� TrenchFET? 第三代技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特�,非常適合于高頻開關(guān)�(yīng)用和負載切換場景�
其封裝形式為 PowerPAK? SO-8 封裝,能夠提供出色的散熱性能和電氣性能。該芯片廣泛�(yīng)用于 DC/DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)�、負載開�(guān)以及其他需要高效功率管理的電子�(shè)備中�
型號:SI4564DY-T1-GE3
類型:N溝道 MOSFET
Vds(漏源極耐壓):60V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�4.5mΩ(在 Vgs=10V 時)
Id(連續(xù)漏極電流):29A
Qg(總柵極電荷):37nC
EAS(雪崩能量)�3.2mJ
封裝:PowerPAK? SO-8
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
SI4564DY-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),可有效降低�(dǎo)通損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)��
3. 總柵極電� Qg 較小,降低了�(qū)動功耗�
4. 強大的雪崩能力和�(wěn)健的短路耐受能力,提升了器件的可靠��
5. 采用 PowerPAK? SO-8 封裝,具備良好的散熱特性和緊湊尺寸�
6. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
7. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設(shè)計�
該芯片適用于以下�(yīng)用場景:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC/DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 電機�(qū)動電路中的功率控制元��
3. 便攜式電子設(shè)備中的負載開�(guān)�
4. 計算機及外設(shè)中的高效功率管理模塊�
5. 工業(yè)自動化和汽車電子�(lǐng)域的功率�(zhuǎn)換與控制�
6. 各種需要高頻開�(guān)和低功耗的�(yīng)用場��
SI4563DY, SI4565DY, IRF7833PbF