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SI4559EY 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 13:17:45 查看 閱讀�30

SI4559EY是由Vishay生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET功率晶體管。該器件采用了TrenchFET Gen III技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)秀的開�(guān)性能,適用于高頻和高效率的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)�。它廣泛�(yīng)用于同步整流、DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)控制等領(lǐng)��
  SI4559EY的封裝形式為SO-8(表面貼裝),這使得其在空間受限的�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)�。此�,由于其出色的電氣特性和熱性能,它在消�(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備和通信�(shè)備中有廣泛的適用��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�24A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�2.5mΩ
  柵極電荷�17nC
  輸入電容�1340pF
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
  封裝形式:SO-8

特�

SI4559EY的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,適合高頻操作環(huán)��
  3. 出色的熱�(wěn)定性,能夠在較高的溫度范圍�(nèi)可靠�(yùn)��
  4. 小型化設(shè)�(jì),便于PCB布局和節(jié)省空��
  5. 具備良好的電磁兼容性(EMC)性能,減少對(duì)外界干擾的影��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�
  這些特性使其非常適合用于需要高性能和高效率的場(chǎng)�,如筆記本電腦適配器、服�(wù)器電源以及各種消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理部��

�(yīng)�

SI4559EY主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 同步整流電路,用作主開關(guān)或輔助開�(guān)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,例如降�、升壓和反激式轉(zhuǎn)換器�
  3. �(fù)載開�(guān),用于保�(hù)下游電路免受過流和短路的影響�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng),尤其是小型直流電機(jī)的控��
  5. 開關(guān)電源(SMPS)的�(shè)�(jì)與實(shí)�(xiàn)�
  6. 電池管理系統(tǒng)(BMS),用于充放電路徑的管理�
  7. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)�(diào)節(jié)和隔雀�
  總體而言,SI4559EY憑借其卓越的性能指標(biāo)和緊湊的�(shè)�(jì),能夠滿足多種復(fù)雜應(yīng)用的需��

替代型號(hào)

SI4446DY, IRF7832TRPBF, FDS8935ASL

si4559ey推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si4559ey資料 更多>

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si4559ey參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • 晶體管極�N and P-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓60 V
  • �/源擊穿電�+/- 20 V
  • 漏極連續(xù)電流4.5 A, 3.1 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)55 mOhms, 120 mOhms
  • 配置Dual
  • 最大工作溫�+ 175 C
  • 安裝�(fēng)�SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SOIC-8 Narrow
  • 下降�(shí)�11 ns, 35 ns
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散2.4 W
  • 上升�(shí)�11 ns, 10 ns
  • 工廠包裝�(shù)�100
  • 典型�(guān)閉延遲時(shí)�36 ns, 12 ns