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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI4544DY-T1-E3

SI4544DY-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 16:27:45 查看 閱讀�10

SI4544DY-T1-E3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù)制�,具有極低的�(dǎo)通電� (Rds(on)) 和高效率特�,非常適合用于要求高效能和高開關(guān)速度的應(yīng)用場(chǎng)�。其小型化的封裝�(shè)�(jì)使其成為空間受限�(yīng)用的理想選擇,同�(shí)能夠提供出色的熱性能和電氣性能�
  SI4544DY-T1-E3 的工作電壓范圍為 -0.3V � 20V,并具備快速開�(guān)能力以及低柵極電� (Qg),從而降低了�(qū)�(dòng)損�,提高了整體系統(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:20V
  連續(xù)漏極電流�4.9A
  �(dǎo)通電阻:8.5mΩ
  柵極電荷�10nC
  輸入電容�60pF
  典型閾值電壓:1.2V
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TSSOP6

特�

SI4544DY-T1-E3 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 確保在高電流�(yīng)用中減少功耗并提高效率�
  2. 高效� TrenchFET 第三代技�(shù)帶來更優(yōu)的開�(guān)性能和熱管理能力�
  3. 小尺� TSSOP6 封裝適合緊湊型設(shè)�(jì)需��
  4. 寬工作溫度范� (-55°C � +175°C) 支持極端�(huán)境下的可靠運(yùn)��
  5. 快速開�(guān)能力和低柵極電荷 (Qg) 提高了高頻應(yīng)用中的效��
  6. 可靠性高,適用于汽車、工�(yè)及消�(fèi)類電子設(shè)��

�(yīng)�

該器件廣泛應(yīng)用于多種�(lǐng)域,包括但不限于�
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流��
  2. 直流-直流�(zhuǎn)換器中的高效開關(guān)元件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制�
  4. 電池保護(hù)和負(fù)載切��
  5. 便攜式設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)� FET 開關(guān)�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率級(jí)控制�
  7. 汽車電子中的各類功率管理模塊�

替代型號(hào)

SI4406DY, SI4407DY, SI4543DY

si4544dy-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si4544dy-t1-e3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET �N � P 溝道
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C-
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫歐 @ 6.5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs35nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)