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SI4390DY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間:2025/5/29 10:50:36 查看 閱讀:7

SI4390DY-T1-GE3 是一款由 Silicon Labs(硅實驗室)生產(chǎn)的高性能、低功耗的無線收發(fā)器芯片。該芯片專為 Sub-GHz 頻段設(shè)計,適用于需要長距離通信和低功耗運行的應(yīng)用場景。它集成了一個高效的射頻收發(fā)器和一個靈活的基帶調(diào)制解調(diào)器,支持多種調(diào)制模式,包括 FSK、GFSK、MSK、OOK 等。
  SI4390DY-T1-GE3 的高集成度設(shè)計使其能夠簡化系統(tǒng)架構(gòu)并減少外部元件的數(shù)量,從而降低整體解決方案的成本和復(fù)雜性。同時,其可編程性和靈活性使得開發(fā)人員可以根據(jù)具體需求進行定制化配置。

參數(shù)

工作頻率范圍:150MHz 至 960MHz
  輸出功率:+20dBm(最大)
  接收靈敏度:-126dBm(典型值)
  調(diào)制方式:FSK、GFSK、MSK、OOK
  數(shù)據(jù)速率:0.15kbps 至 650kbps
  電源電壓:1.8V 至 3.6V
  工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
  封裝形式:QFN40 (6mm x 6mm)
  睡眠電流:<10nA
  待機電流:700nA

特性

SI4390DY-T1-GE3 具備多項顯著特性,使其在無線通信領(lǐng)域具有很高的應(yīng)用價值。
  首先,它擁有極高的靈敏度,即使在弱信號環(huán)境下也能保持可靠的數(shù)據(jù)傳輸性能。
  其次,其輸出功率可高達 +20dBm,確保了遠距離通信能力。
  此外,芯片支持多種調(diào)制模式,并允許用戶通過寄存器配置來優(yōu)化特定應(yīng)用場景下的性能。
  低功耗設(shè)計是該芯片的另一大亮點,無論是深度睡眠模式還是待機模式,其功耗都處于行業(yè)領(lǐng)先水平,非常適合電池供電設(shè)備。
  最后,該芯片的高集成度減少了對額外外圍電路的需求,從而降低了系統(tǒng)復(fù)雜度和成本。

應(yīng)用

SI4390DY-T1-GE3 廣泛應(yīng)用于需要低功耗、遠距離無線通信的場景中。
  典型應(yīng)用包括智能家居控制系統(tǒng)、工業(yè)自動化設(shè)備、遠程傳感器網(wǎng)絡(luò)、安防監(jiān)控系統(tǒng)、醫(yī)療健康監(jiān)測設(shè)備等。
  由于其支持 Sub-GHz 頻段,該芯片特別適合用于需要穿透障礙物或覆蓋較大區(qū)域的通信場合。例如,在農(nóng)業(yè)領(lǐng)域的精準灌溉系統(tǒng)中,可以利用 SI4390DY-T1-GE3 實現(xiàn)遠程數(shù)據(jù)采集與控制;在智能城市項目中,也可以將其用于路燈管理或垃圾箱狀態(tài)監(jiān)測等應(yīng)用。

替代型號

SI4463
  CC1120
  RFM69HCW

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si4390dy-t1-ge3參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.5 毫歐 @ 12.5A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.8V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs15nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.4W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)