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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI402DN-T1-GE3

SI402DN-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/15 13:51:21 查看 閱讀�19

SI402DN-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特性,非常適合于需要高效能和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)�。其封裝形式� TO-263 (DPAK),便于散熱管理且易于安裝�
  該器件廣泛應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及其他功率管理電路�,憑借其�(yōu)異的電氣性能和穩(wěn)定�,成為許多工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的首選功率 MOSFET�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�52A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�3.8mΩ
  柵極電荷�17nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=9ns, toff=18ns
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高開(kāi)�(guān)速度�(shè)�(jì),能夠有效減少開(kāi)�(guān)損��
  3. �(qiáng)大的雪崩能力和堅(jiān)固的短路耐受能力,增�(qiáng)了器件的可靠��
  4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品的需��
  5. �(yōu)化的熱性能,適合高功率密度的應(yīng)用環(huán)��
  6. 封裝小巧,節(jié)� PCB 空間的同�(shí)保持良好的散熱特��

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 各種類型的電�(jī)�(qū)�(dòng),如步�(jìn)電機(jī)、無(wú)刷直流電�(jī)��
  3. �(fù)載切換和保護(hù)電路�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊�
  5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的功率通路管理�
  6. LED �(qū)�(dòng)器和其他照明解決方案中的功率�(diào)節(jié)組件�

替代型號(hào)

SI444DN, IRFZ44N, FDP55N06L

si402dn-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)