時間：2025/5/30 14:23:50
閱讀：5
SI3993CDV 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道增強型 MOSFET 功率晶體管，采用 TrenchFET? 第三代技術(shù)。該器件設(shè)計用于高頻開關(guān)應用，具有極低的導通電阻和快速的開關(guān)特性。它非常適合需要高效率和小尺寸解決方案的應用場景。
這款功率 MOSFET 的封裝形式為 ThinPAK 8x8 封裝，能夠有效降低寄生電感并提高散熱性能，從而提升整體系統(tǒng)性能。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：24A
導通電阻（典型值）：1.3mΩ
柵極電荷（典型值）：75nC
反向恢復時間：26ns
工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃
SI3993CDV-T1-GE3 具有以下顯著特性：
1. 極低的導通電阻（Rds(on)），可以顯著減少傳導損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 高效的開關(guān)性能，得益于其低柵極電荷和快速的反向恢復時間。
3. 使用 Vishay 的 TrenchFET? 第三代技術(shù)，優(yōu)化了靜態(tài)和動態(tài)性能。
4. 超薄封裝設(shè)計，有助于節(jié)省 PCB 空間并改善熱管理。
5. 符合 RoHS 標準，支持環(huán)保要求。
6. 可靠性高，適用于惡劣環(huán)境下的工業(yè)及汽車應用。
該功率 MOSFET 主要應用于以下領(lǐng)域：
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換和電池保護。
4器和其他消費類電子產(chǎn)品的電源管理模塊。
5. 太陽能微逆變器以及其他可再生能源相關(guān)設(shè)備。
SI4472DY, SI3880ADV
