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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI3932DV-T1-GE3

SI3932DV-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/27 19:03:16 查看 閱讀�22

SI3932DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET? 第三代技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),非常適合用于高� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)控制和電池保�(hù)等應(yīng)�。該器件的封裝形式為 PowerPAK? 8x8,有助于提高散熱性能并節(jié)省電路板空間�
  其耐壓值為 30V,適用于中低壓應(yīng)用場(chǎng)�,同�(shí)由于其低�(dǎo)通電阻特性,能夠有效降低功�,提升系�(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±8V
  連續(xù)漏極電流�16A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.4mΩ
  柵極電荷�37nC
  輸入電容�1050pF
  總熱阻(�(jié)到環(huán)境)�45°C/W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可顯著減少傳�(dǎo)損��
  2. 高效的開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)��
  3. 小型� PowerPAK? 8x8 封裝,具備良好的熱性能�
  4. 支持大電流操�,滿足多種功率轉(zhuǎn)換需求�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠性高�
  6. 耐熱增強(qiáng)�(shè)�(jì),能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定運(yùn)��
  7. �(nèi)置反向二極管,簡(jiǎn)化電路設(shè)�(jì)并提供額外保�(hù)功能�

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流�
  2. 便攜式設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
  4. 電池保護(hù)與管理系�(tǒng)�
  5. 通信�(shè)備中的高� DC-DC �(zhuǎn)換�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化及消費(fèi)類電子產(chǎn)品的功率管理模塊�
  7. 高密度多� buck �(zhuǎn)換器�(shè)�(jì)�

替代型號(hào)

SI3931DP
  IRL3932TRPBF
  AO3932

si3932dv-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si3932dv-t1-ge3資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

si3932dv-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.7A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C58 毫歐 @ 3.4A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs6nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds235pF @ 15V
  • 功率 - 最�1.4W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP�0.065"�1.65mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI3932DV-T1-GE3TR